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格恩半导体取得半导体激光器封装模组专利，降低激光器芯片的热失配和温升幅度
 评论 ⋅  2025-02-14 14:37
成都士兰半导体申请半导体外延结构及其制备方法专利，降低外延自掺杂效应
 评论 ⋅  2024-12-27 15:49
广州华瑞升阳申请宽禁带半导体器件专利，降低宽禁带半导体器件导通损耗和栅介质层击穿风险
 评论 ⋅  2024-12-26 09:56
广东中图半导体申请高一致性图形化衬底制备方法专利，解决图形化衬底均一性降低问题
 评论 ⋅  2024-12-23 15:14
森国科申请 MOSFET 结构相关专利，降低饱和电流
 评论 ⋅  2024-12-19 17:10
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利，有效降低器件VFSD
 评论 ⋅  2024-12-19 14:48
苏州高视半导体申请基于晶圆检测系统的晶圆检测方法专利，降低晶圆缺陷的检测成本
 评论 ⋅  2024-10-28 17:43
扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利，降低平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
瀚天天成“一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-29 16:08
捷捷微电取得降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法专利，降低了开关损耗
 评论 ⋅  2024-08-15 16:08
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利，降低功率器件制造成本
 评论 ⋅  2024-08-05 17:20
极紫外光刻新技术问世 能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本
 评论 ⋅  2024-08-02 08:56
扬杰科技申请降低栅极电容的 SiCMOSFET 及制备方法专利，降低 SiCMOSFET 栅极电容
 评论 ⋅  2024-07-18 16:20
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-06-03 16:44
技术进展|突破性研究：GaN-on-Diamond键合界面热阻显著降低
 评论 ⋅  2024-05-06 13:57
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-04-30 16:27
华为公司申请半导体器件及其制备方法专利，降低半导体器件的功率损耗
 评论 ⋅  2024-03-22 17:30
日本初创公司开发功率半导体生产新材料 成本降低75%
 评论 ⋅  2024-03-06 13:19
海信家电申请半导体装置专利，降低半导体装置的生产成本
 评论 ⋅  2024-03-05 15:55
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利，能够降低器件的沟道电阻
 评论 ⋅  2024-02-06 14:15
日企新技术可将氮化镓成本降低9成 市场应用空间望打开
 评论 ⋅  2023-09-06 11:11
【CASICON 2023】湖南大学半导体学院（集成电路学院）李阳锋：原位AlGaN插入层降低InGaN LED漏电流
 评论 ⋅  2023-05-09 11:18
外媒：日本电装开发出新型功率半导体 可将能量损失降低20%
 评论 ⋅  2022-07-27 11:42
英飞凌CoolSiC™功率模块可将有轨电车的能耗降低10%
 评论 ⋅  2022-03-11 11:19
韩国推功率半导体支援计划 将生产和设备的成本降低50%-60%
 评论 ⋅  2021-08-18 13:37
英飞凌：SiC、GaN功率元件5年内成本将逐步降低
 评论 ⋅  2021-08-09 16:35
IME 发布 4 层半导体层 3D 堆叠技术，可提升效能降低成本
 评论 ⋅  2021-07-21 10:27
华为公开激光器芯片相关专利，可降低激光器的频率啁啾，增大信号传输距离
华为激光器芯片专利激光器频率啁啾
 评论 ⋅  2021-07-07 10:20
富满电子：12寸的工艺会更先进 成本可降低15%-20%
 评论 ⋅  2021-06-25 09:34
降低对日本依赖！三星SDI已开始开发半导体光刻胶
 评论 ⋅  2021-06-22 13:46
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