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新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-GaN垂直异质集成的高性能宽光谱探测器研究新成果
宽禁带与二维材料,能带工程，光电探测器,深圳大学,垂直异质集成
 评论 ⋅  2024-02-01 11:30
厦大物理宽禁带半导体团队在量子点电子态和自旋态操控领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-01-31 15:42
昆明理工大学在溶液法生长高纯3C-SiC晶体研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-01-26 17:37
中国科学院半导体研究所在脉冲型人工视觉芯片研制取得新进展
 评论 ⋅  2024-01-17 09:36
第四代半导体迎来新进展 相关A股公司抢抓“新风口”
氧化镓外延片单晶Ga2O3金刚石氮化铝
 评论 ⋅  2024-01-09 10:42
中国电科（山西）碳化硅材料产业基地（二期）项目最新进展
中国电科山西碳化硅材料产业基地二期碳化硅材料
 评论 ⋅  2024-01-08 11:29
新进展！西安交通大学实现2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底量产
金刚石半导体MPCVD异质外延2英寸量产
 评论 ⋅  2024-01-05 11:40
上海光机所在高重频高功率超快激光器研究取得进展
 评论 ⋅  2024-01-05 09:50
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石SiCGaN衬底
 评论 ⋅  2024-01-04 09:28
半导体所在2D/3D双模视觉处理芯片研制取得新进展
 评论 ⋅  2024-01-03 15:54
厦门大学林楷强教授团队在二维半导体材料的激子研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-01-03 15:32
日本团队：金刚石MOSFET研制取得最新进展
钻石MOSFET
 评论 ⋅  2023-12-29 16:52
ULVAC牛山史三：GaN溅射技术进展
 评论 ⋅  2023-12-27 14:34
武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 18:02
IFWS 2023│九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽器件技术研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 10:42
苏州纳米所梁伟团队在可连续调谐的窄线宽外腔半导体激光器领域取得进展
 评论 ⋅  2023-12-19 13:52
IFWS 2023│科友半导体赵丽丽：8英寸碳化硅衬底产业化进展
 评论 ⋅  2023-12-19 11:05
IFWS 2023│南砂晶圆/山东大学杨祥龙：大尺寸SiC单晶的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 11:52
太原理工大学和武汉大学在金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 10:20
中芯国际12英寸晶圆代工生产线新进展 总投资573亿元
 评论 ⋅  2023-12-15 17:37
中国科学院在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-12-12 15:36
IFWS 2023│日本大阪大学陈传彤：SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展
 评论 ⋅  2023-12-12 14:17
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强：增强型功率氮化镓器件结构设计进展
 评论 ⋅  2023-12-08 15:49
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟：助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-07 15:07
SSLCHINA2023│厦门大学黄凯：显示用Micro-LED芯片与集成技术新进展
 评论 ⋅  2023-12-07 14:33
湖南大学物电院刘渊教授团队在小尺寸晶体管研究中取得新进展
 评论 ⋅  2023-12-06 17:10
SSLCHINA2023│京东方曹占锋：玻璃基MLED 显示进展与挑战
 评论 ⋅  2023-12-06 15:06
IFWS 2023│六方氮化硼研究进展
 评论 ⋅  2023-12-06 11:20
长城汽车在SiC领域的两大新进展
 评论 ⋅  2023-12-05 17:05
IFWS 2023│追踪氮化镓功率电子器件技术新进展
 评论 ⋅  2023-11-30 09:05
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