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韩开发出新高迁移率p型半导体材料
 评论 ⋅  2024-09-18 16:24
CSPSD 2024成都前瞻|上海大学任开琳：一种新型氮化镓基发光高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2024-04-23 09:53
首个由石墨烯制成的功能半导体问世 电子迁移率是硅的10倍
 评论 ⋅  2024-01-05 15:47
石墨烯芯片制造领域，重要里程碑→
碳化硅超高迁移率半导体外延石墨烯
 评论 ⋅  2024-01-05 13:55
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用
 评论 ⋅  2023-04-27 16:12
标准 | CASA立项《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》等5项团体标准
 评论 ⋅  2022-11-21 15:27
国家纳米科学中心刘新风研究团队首次测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率
 评论 ⋅  2022-07-25 09:42
苏州大学揭建胜教授团队提出有机半导体单晶薄膜制备新方法，迁移率变异系数仅9.8%
 评论 ⋅  2022-04-24 08:28
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