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IFWS：超宽禁带半导体材料与器件技术最新进展
 评论 ⋅  2023-02-14 11:53
新型超宽禁带半导体材料厂商铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
 评论 ⋅  2022-12-09 14:52
西安交通大学研究团队超宽禁带半导体材料研究领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-10-13 11:41
西安交大云峰教授团队在超宽禁带半导体材料研究领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-07-13 10:25
西电周弘教授：超宽禁带半导体材料氧化镓器件最新研究进展
 评论 ⋅  2022-02-22 13:35
IFWS& SSLCHINA 2021：超宽禁带半导体材料最新进展
 评论 ⋅  2021-12-10 16:34
科研人员提出超宽禁带半导体材料AlN位错抑制新方法
超宽禁带半导体材料AlN位错抑制新方法
 评论 ⋅  2021-05-26 16:01
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