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英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000V，直流母线电压最高可达1500 VDC， 效率更高，设计更简单
 评论 ⋅  2024-10-24 17:14
华虹宏力“一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-21 16:50
江苏能华微取得 GaN 肖特基二极管相关专利，有效提高了 GaN 肖特基二极管的性能
 评论 ⋅  2024-09-03 10:56
CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大学孙佳慧：肖特基型p-GaN栅GaN HEMT的栅极抗静电鲁棒性
 评论 ⋅  2024-04-17 16:46
基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2023-06-08 09:44
哈尔滨工业大学科研团队通过选择性生长方法制备了准垂直金刚石肖特基二极管
 评论 ⋅  2022-09-02 09:34
Novel Crystal Technology宣布开发出世界第一款安培级1200 V耐压的“氧化镓肖特基势垒二极管”
 评论 ⋅  2021-12-27 18:21
中电科第十三研究所梁士雄：基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:43
日本德岛大学教授敖金平：转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:40
深圳大学微电子研究院刘新科：2寸独立晶圆上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2021-12-13 11:39
复旦大学张园览：基于P区反序掺杂策略的高效碳化硅结势垒肖特基二极管的研究
复旦大学张园览高效碳化硅结势垒肖特基二极管
 评论 ⋅  2021-12-10 12:10
IFWS 2021前瞻：中国电科首席科学家冯志红将出席射频电子器件与应用论坛
氮化镓肖特基二极管太赫兹倍频器冯志红中国电科
 评论 ⋅  2021-11-22 16:04
【CASICON 2021】南京大学陈鹏：低开启/超高压GaN肖特基功率器件研究新进展
 评论 ⋅  2021-09-15 15:48
CASICON 2021前瞻：南京大学电子科学与工程学院陈鹏教授将出席南京功率与射频半导体应用峰会
南京大学陈鹏教授GaN基肖特基功率器件研究新进展
 评论 ⋅  2021-09-04 12:34
解析！碳化硅肖特基二极管的优势及应用
 评论 ⋅  2021-03-30 10:10
格力公开“碳化硅肖特基半导体器件”和“一种半导体器件”专利
 评论 ⋅  2021-03-01 17:26
西安电子科技大学李杨：用于无线充电和功率传输的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2020-12-11 16:15
意法半导体推出薄型贴装肖特基二极管，提高功率密度和能效
半导体封装扁平产品器件采用
 评论 ⋅  2020-08-03 05:33
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