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纳芯微推出全新固态继电器：支持1700V耐压， 满足CISPR25 Class 5要求
 评论 ⋅  2024-05-15 15:18
CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料实验室王方洲：低损耗高耐压Si基GaN双向阻断功率器件研究
 评论 ⋅  2024-04-17 16:32
比亚迪半导体申请终端结构及其制造方法以及功率器件专利，能够提高耐压值
 评论 ⋅  2024-03-08 15:13
北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件，耐压能力大于6500V
北超低动态电阻氮化镓高压器件耐压6500V
 评论 ⋅  2024-01-11 11:17
中电科13所敦少博：高耐压氧化镓功率器件研制进展与思考
 评论 ⋅  2023-08-01 11:30
简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN功率器件
 评论 ⋅  2023-03-16 15:12
西安邮电大学重点实验室成功制备高耐压性能半导体材料
 评论 ⋅  2023-03-09 15:17
东微半导体基于碳化硅实现高耐压半导体器件制造方案
 评论 ⋅  2022-09-07 09:35
ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制
 评论 ⋅  2022-04-11 16:58
Novel Crystal Technology宣布开发出世界第一款安培级1200 V耐压的“氧化镓肖特基势垒二极管”
 评论 ⋅  2021-12-27 18:21
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