首页 > 新闻资讯 > 搜索
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
芯导电子“一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-08 16:26
联华电子申请半导体结构以及其形成方法专利，具有特定的结构和元件排列
 评论 ⋅  2024-11-06 14:22
安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，使半导体器件获得更好的散热结构以及更低的电阻率
 评论 ⋅  2024-11-04 15:27
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
总投资30亿 黄埔这一半导体项目主体结构将迎来全面封顶
 评论 ⋅  2024-11-03 13:35
长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利，提高集成电路的存储密度
 评论 ⋅  2024-10-31 13:57
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利，方法制作工艺简单
 评论 ⋅  2024-10-29 18:01
荣耀“封装芯片结构及其加工方法、和电子设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-29 11:02
苏州敏芯微电子申请力传感器的封装结构及其制造方法专利，解决现有力传感器力传递灵敏度低的问题
 评论 ⋅  2024-10-28 17:54
广东气派科技申请 MOSFET 的封装结构专利，采用封装结构得到的 MOSFET 散热性能佳
 评论 ⋅  2024-10-24 10:02
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-18 16:18
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-17 14:43
复旦微电子学院季力教授团队在金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的光催化水裂解电极方向取得成果
 评论 ⋅  2024-10-12 10:17
格兰菲申请功率半导体器件结构及其制备方法专利，有利于终端区面积缩小
 评论 ⋅  2024-10-11 10:53
臻驱半导体施工总承包项目厂房主体结构顺利封顶
 评论 ⋅  2024-09-25 21:11
提前4个月！“芯庐州”集成电路产业园（一期）项目主体结构全面封顶
 评论 ⋅  2024-09-23 06:40
上海壁仞科技取得封装结构专利，提高散热性能
 评论 ⋅  2024-09-20 11:00
晶合集成申请一种半导体结构的制作方法及动态调整系统专利，提高半导体结构的良率
 评论 ⋅  2024-09-19 17:13
威迈芯材年产100吨半导体高端光刻材料项目主体结构全面封顶
 评论 ⋅  2024-09-14 15:49
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
上海积塔半导体申请半导体结构相关专利，避免因相邻膜层刻蚀选择比过大形成底切结构
 评论 ⋅  2024-09-11 14:14
三责新材二期半导体设备用高精度结构陶瓷产业化项目厂房封顶
 评论 ⋅  2024-09-06 17:08
士兰微“功率封装结构及其引线框”专利获授权
 评论 ⋅  2024-09-06 11:59
盛合晶微半导体（江阴）申请 3D 垂直互连封装结构及其制备方法专利，实现高密度封装
 评论 ⋅  2024-09-04 14:55
中图科技申请一种高深度微结构图形化半导体衬底及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-08-30 17:55
苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利，提高半导体外延层的性能
 评论 ⋅  2024-08-29 10:52
利普思半导体“一种功率模块结构”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-16 09:56
豪纬集团申请一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法专利，有效提高微纳结构中有源层的发光效率
 评论 ⋅  2024-08-13 16:14
扬州晶圆级芯粒先进封装基地项目主体结构封顶
 评论 ⋅  2024-08-13 12:37
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部