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台积2
纳米
试产 有动作了
中科院北京
纳米
能源与系统研究所所长、欧洲科学院院士王中林:第三代半导体的压电电子学与压电光电子学最新进展
南科大化梦媛团队揭示与氮化镓晶格匹配的GaON
纳米
层的形成机理及应用
国内首款7
纳米
车规级SoC芯片“龙鹰一号”正式量产
复旦大学微电子学院研究团队揭示铪基铁电
纳米
器件机理
台媒:苹果自研5G基带芯片将采用台积电3
纳米
制程
南科大电子系化梦媛团队揭示与氮化镓晶格匹配的GaON
纳米
层的形成机理及应用
简述氮化镓晶格排列氧化氮化镓
纳米
层的形成及其在电子器件中的应用
苏州
纳米
所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
三星:3
纳米
制程代工市场2026年将达242亿美元规模
日本半导体公司推进2
纳米
半导体生产
日本半导体公司Rapidus推进2
纳米
半导体生产
安泰科技超薄
纳米
晶材料进军第三代半导体行业
长光华芯联合中科院苏州
纳米
所共建“氮化镓激光器联合实验室”
苏州半导体激光创新研究院、中科院苏州
纳米
所“氮化镓激光器联合实验室”揭牌成立
半导体
纳米
新材料技术服务商扑浪量子获东方嘉富领投Pre-A轮投资
晶圆代工大厂公布五年发展规划,1.4
纳米
芯片量产时间敲定
苏州
纳米
所梁伟等在高重复频率窄线宽外腔激光器领域取得进展
关于第十三届中国国际
纳米
技术产业博览会 延期举办的通知
苏州
纳米
所器件部樊士钊等JAP:利用电子通道衬度成像方法分析氮化镓异质结中的穿透位错和失配位错
南京大学余林蔚教授课题组实现面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶硅
纳米
线可靠生长集成
基于微结构
纳米
复合薄膜的超灵敏柔性压力传感器
国家
纳米
科学中心刘新风研究团队首次测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率
在
纳米
图案化蓝宝石衬底(NPSS)上实现AlGaN基高效多量子阱的生长
三星宣布3
纳米
芯片正式开始量产 采用新 GAA晶体管架构 提高30%性能
中科院上海高研院征才,发力7
纳米
以下节点先进集成电路研发
台积电公布最新技术路线图:2025年量产2
纳米
技术
三星计划三年内打造 3
纳米
GAA(Gate-all-around)工艺
日本入局,全球2
纳米
制程争夺战升级!
苹果A16芯片传仍采用台积电5
纳米
、M2芯片改采用3
纳米
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