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IFWS:聚焦固态
紫外
材料与器件新进展
重磅UVLED论坛!全面直击UV LED创新应用,聚焦固态
紫外
材料与器件新进展
长治高新区“深
紫外
LED量产型MOCVD装备研发项目”中榜山西省“揭榜挂帅”项目
3年内WPE破10%,至芯半导体透露
紫外
LED Roadmap
开年盛会 | 固态
紫外
材料与器件技术分论坛嘉宾报告日程出炉——IFWS&SSLCHINA前瞻
上海光机所在高峰值功率皮秒深
紫外
光源方面取得研究进展
中科潞安牵头大功率深
紫外
AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术获得立项
全球首次!全球首次实现室温下连续波深
紫外
激光输出
深
紫外
LED产品助力太原海关疫情防控
《人工光植物工厂
紫外
LED光照系统 一般技术要求》团体标准正式发布
中国科学院半导体所“深
紫外
激光光致发光光谱仪”入选中国科学院自主研制科学仪器名录
IFWS &SSLCHINA 2022前瞻看点:固态
紫外
材料与器件
长春理工大学王登魁团队在制备CdSe量子点修饰ZnO微米线
紫外
光电探测器取得研究进展
北京交通大学赵谡玲课题组:实现可覆盖
紫外
-可见-近红外范围的高性能宽带探测器
我国自主研制深
紫外
LED器件助力疫情防控
GaN基
紫外
半导体激光器
至芯半导体在日盲深
紫外
器件方面获重大突破,单颗芯片发射功率创纪录达到210mW
复旦大学卢红亮课题组在柔性氧化镓光电探测器方面取得重要研究进展 实现超灵敏的深
紫外
光探测率
4H-SiC
紫外
光电探测器最新成果
外媒:台积电或将在2024年引入阿斯麦最新一代极
紫外
光刻机
中科潞安大功率深
紫外
芯片产品获突破性进展,光功率输出在120mW以上
紫外
增强图像传感器的研究进展
中科院半导体所赵德刚团队研制出室温连续功率2W的GaN基大功率
紫外
激光器
中晟光电深
紫外
MOCVD 设备获重大技术突破
中晟光电
深紫外
MOCVD
设备
技术
突破
北京大学许福军:高质量AlN实现路径探索及深
紫外
发光器件应用
北京大学王柳冰:通过引入透明复合p型层和Ag纳米点/Al反射电极相结合提高深
紫外
LED的光提取效率
西安电子科技大学宁静:基于维度调控的GaN
紫外
LED及光电集成
厦门大学黄凯:
紫外
光电器件中的极化激元和等离激元研究
中山大学江灏:利用界面效应的高Al组分AlGaN的高效p型掺杂及其深
紫外
光电探测应用
港科技术(佛山)董国帅:峰值波长为 222nm 的远
紫外
线KrCl准分子灯的活化能和寿命研究
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页/共
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