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R&S联合FormFactor为得克萨斯大学奥斯汀分校研究5G和6G改进型射频开关提供支持
 评论 ⋅  2022-01-21 10:01
世界纪录效率！南京大学现工院谭海仁团队在《Nature》发文报道全钙钛矿叠层电池重要研究进展
 评论 ⋅  2022-01-20 12:06
中国科大郭光灿院士团队在硅基半导体自旋量子比特操控研究中取得进展
 评论 ⋅  2022-01-20 10:48
成都岷山功率半导体技术研究院成立，张波教授任专家委员会理事长
 评论 ⋅  2022-01-19 11:55
佛山广工大研究院：推动半导体检测设备国产化
 评论 ⋅  2022-01-19 07:35
A*STAR微电子研究所和SOITEC合作开发200毫米低成本碳化硅半导体器件
 评论 ⋅  2022-01-17 15:50
功率半导体产业研究：电动车大时代，碳化硅新世界
 评论 ⋅  2022-01-11 13:28
闻泰科技与清华大学成立工业与车规半导体芯片联合研究中心
 评论 ⋅  2022-01-10 16:58
江苏第三代半导体研究院：推动产业创新能力整体跃升
江苏第三代半导体研究院第三代半导体技术创新中心
 评论 ⋅  2021-12-29 16:14
华南理工大学李国强教授：可见光通信系统中核心元器件研究
 评论 ⋅  2021-12-27 14:10
北京大学物理学院教授于彤军：大尺寸AlN单晶的同质PVT生长研究
 评论 ⋅  2021-12-23 16:46
深圳大学物理与光电工程学院副院长武红磊：氮化铝晶体PVT生长装置及技术研究
 评论 ⋅  2021-12-23 16:44
中科院苏州纳米研究所司志伟：助熔剂法氮化镓微碟不同极性面的光学性能
 评论 ⋅  2021-12-23 16:38
日本产业技术综合研究所沈旭强：无氨高温 MOCVD 生长的高质量极性和半极性氮化铝
 评论 ⋅  2021-12-23 16:29
中科院半导体研究所张逸韵：玻璃衬底氮化物异构外延
 评论 ⋅  2021-12-23 16:25
河北半导体研究所高楠：国产4英寸GaN衬底上MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料
 评论 ⋅  2021-12-23 16:16
中科院宁波材料技术与工程研究所陈荔：基于蓝宝石衬底的半极性面AlN外延及高温热处理研究
 评论 ⋅  2021-12-23 16:14
华东光电集成器件研究所展明浩：MEMS传感器发展现状及在自动驾驶中的应用
 评论 ⋅  2021-12-16 17:49
上海电驱动电控研究院院长陈雷：功率半导体在新能源汽车电机控制器中的应用
 评论 ⋅  2021-12-16 17:33
中科院半导体研究所张连：亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延技术研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:47
南京电子器件研究所张凯：大功率GaN微波毫米波二极管及其创新应用
 评论 ⋅  2021-12-14 14:46
西安电子科技大学刘志宏：面向移动SoC应用的氮化镓射频器件研究进展
 评论 ⋅  2021-12-14 14:44
中电科第十三研究所梁士雄：基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:43
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心曾建平：宽频段高效率单片集成GaN基SBD倍频电路研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:42
美国Analog设备张薇葭：基于直接键合工艺液冷散热技术的紧凑型氮化镓功率模块设计及其热学模型研究
 评论 ⋅  2021-12-13 18:14
北京大学物理学院杨学林：Si衬底上GaN基功率电子材料及器件研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:52
西安电子科技大学王婷婷：基于金属氮化物阳极的凹槽双阳极SBD研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:44
南方科技大学深港微电子学院汪青：GaN器件及其系统的最新研究进展
 评论 ⋅  2021-12-13 11:41
深圳大学微电子研究院刘新科：2寸独立晶圆上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2021-12-13 11:39
电子科技大学李曦：GaN HEMT功率器件的热瞬态测试方法与机理研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:29
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