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中国科大龙世兵课题组
研制
出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
从基础到应用碳化硅晶体
研制
获突破
重大突破 | 国内首款全自研中小容量19nm 2D NAND
研制
成功
苏州纳米所孙钱团队
研制
出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
中科院微电子所
研制
高功率密度5结级联905nm VCSEL
中国科学院半导体所“深紫外激光光致发光光谱仪”入选中国科学院自主
研制
科学仪器名录
智新半导体已
研制
出基于第3代半导体碳化硅的功率模块
山东大学成功
研制
高质量4英寸氧化镓晶体
郝跃院士团队
研制
出国际最高功率优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
复旦大学微电子学院成功
研制
新原理机器视觉增强芯片
中电科45所
研制
的双8英寸全线自动化湿法整线设备进入国内主流产线
我国自主
研制
深紫外LED器件助力疫情防控
大功率芯片
研制
获突破
全面自主研发和量产!中机新材在精密研磨抛材料
研制
方面获多项技术突破
清华大学团队
研制
出国际首款实时超光谱成像芯片
广东光大科
研制
造中心项目开工,一期投资100亿元
中科院半导体所赵德刚团队
研制
出室温连续功率2W的GaN基大功率紫外激光器
中科院物理所陆凌团队
研制
出了性能指标具佳的拓扑腔面发射激光器
中科院合肥物质科学研究院成功
研制
BGA芯片外观检测设备
工信部:2022年汽车标准化工作要点 加快新兴领域标准
研制
长光所在量子陀螺专用垂直腔面发射激光器
研制
和应用方面取得进展
电科材料成功
研制
出8英寸碳化硅晶体 实现小规模量产!
中电科二所
研制
出山西首片碳化硅芯片
中电科二所
研制
出山西省首片碳化硅芯片
【CASICON 2021】云南锗业公司首席科学家惠峰:VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片
研制
及应用
CASICON 2021前瞻:VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片
研制
及应用
北京航天微电芯片孵化产业园开工,将建GaN/GaAs射频芯片
研制
线
高压大功率碳化硅电力电子器件
研制
进展
高压
大功率
碳化硅
电力电子
器件
研制进展
西安光机所等
研制
出新一代高性能微通道板
南京大学电子科学与工程学院研究团队与华为合作 成功
研制
智能表面新架构助力5G网络性能提升
南京大学
电子科学
工程学院
华为
研制
智能表面
新架构
5G网络
性能提升
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页/共
3
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