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广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，使半导体器件获得更好的散热结构以及更低的电阻率
 评论 ⋅  2024-11-04 15:27
扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利，降低平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
标准 | 2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2024-07-26 11:01
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-06-03 16:44
昕感科技推出兼容15V栅压驱动的1200V/13mΩ低导通电阻SiC MOSFET
 评论 ⋅  2024-05-10 16:37
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-04-30 16:27
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-22 15:07
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-16 15:54
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-07 19:21
日本开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体器件
 评论 ⋅  2024-04-07 18:23
晶合集成取得半导体器件及其制备方法专利，改善电阻Rc并提高良率
 评论 ⋅  2024-02-29 11:37
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利，能够降低器件的沟道电阻
 评论 ⋅  2024-02-06 14:15
北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件，耐压能力大于6500V
北超低动态电阻氮化镓高压器件耐压6500V
 评论 ⋅  2024-01-11 11:17
翠展微：IGBT模块关断电阻对关断尖峰的非单调性影响
 评论 ⋅  2023-09-26 10:55
科友半导体董事长赵丽丽：电阻炉八英寸碳化硅制备技术探索
 评论 ⋅  2023-03-13 17:34
CASA发布《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告
 评论 ⋅  2022-12-09 16:50
中镓半导体：挑战最高GaN体电阻率，开发更高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底
 评论 ⋅  2022-11-25 17:53
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-21 15:29
北京交大科研团队提出GaN器件动态导通电阻的精确测试与优化方法
 评论 ⋅  2022-11-17 16:42
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-11 15:26
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-17 17:17
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:10
自举电路工作原理和自举电阻和电容的选取
 评论 ⋅  2022-09-26 17:25
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-09-19 17:45
标准 | 电子五所牵头的T/CASAS 005《用于硬开关电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-07-20 15:48
科友半导体应用电阻长晶炉突破高速率高品质SiC晶体生长的关键技术
 评论 ⋅  2022-06-29 16:55
恒普科技量产推出新一代2.0版SiC电阻晶体生长炉
恒普科技SiC晶体生长SiC电阻晶体生长炉晶体电阻炉
 评论 ⋅  2022-06-17 15:00
首次成功将超薄半导体和超导体结合，实现以零电阻导电
 评论 ⋅  2022-01-28 10:10
【CASICON 2021】西安交通大学李强：大面积hBN薄膜制备及 电阻开关特性研究
 评论 ⋅  2021-09-17 16:33
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