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赛微电子已具备6-8英寸GaN外延材料
生长
能力 正在推动山东GaN产线建设
晶盛机电已成功
生长
出8英寸碳化硅晶体,并建设6英寸碳化硅晶体研发实验线
晶盛机电:已成功
生长
出8英寸碳化硅晶体
中山大学电子与信息工程学院(微电子学院)晶圆级二维原子晶体材料MOCVD
生长
系统采购项目公开招标公告
复旦大学单晶衬底
生长
系统采购公开招标公告
4英寸氧化镓单晶
生长
与性能分析
突破SiC
生长
关键核心材料 解决关键材料“进口”依赖
晶盛机电已成功
生长
出8英寸碳化硅晶体
IFWS 2022前瞻:氮化物衬底材料
生长
与外延
IFWS 2022看点前瞻:碳化硅衬底材料
生长
与加工及外延技术
南京大学余林蔚教授课题组实现面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶硅纳米线可靠
生长
集成
哈尔滨工业大学科研团队通过选择性
生长
方法制备了准垂直金刚石肖特基二极管
晶盛机电已成功
生长
出8英寸碳化硅晶体,将提升在第三代半导体材料端的竞争力
浙江大学50 mm厚6英寸碳化硅单晶
生长
获得成功
在纳米图案化蓝宝石衬底(NPSS)上实现AlGaN基高效多量子阱的
生长
科友半导体应用电阻长晶炉突破高速率高品质SiC晶体
生长
的关键技术
中国科学院物理研究所张广宇课题组实现4英寸晶圆尺度均匀多层二硫化钼连续薄膜可控逐层外延
生长
恒普科技量产推出新一代2.0版SiC电阻晶体
生长
炉
恒普科技
SiC晶体生长
SiC电阻晶体生长炉
晶体
电阻炉
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延
生长
核心技术取得新突破
南京大学等突破双层二维半导体外延
生长
核心技术
重磅发布 | 新一代SiC晶体
生长
炉,突破行业核心需求
恒普科技
SiC
感应晶体生长炉
SiC行业晶体长
中科院半导体所在氮化物材料
生长
界面研究方面取得新进展
最新透露 | 天岳先进:公司具备设计不同尺寸碳化硅单晶
生长
炉能力
晶盛机电:全自动金刚石
生长
炉研发成功 可一次实现20颗以上4-5克拉毛坯钻石生产能力
天岳先进:公司具备设计不同尺寸碳化硅单晶
生长
炉能力
高温溶液法
生长
SiC单晶的研究进展
晶体材料实验室陶绪堂教授团队在卤化物钙钛矿单晶
生长
及应用方面取得系列新成果
北京大学物理学院教授于彤军:大尺寸AlN单晶的同质PVT
生长
研究
深圳大学物理与光电工程学院副院长武红磊:氮化铝晶体PVT
生长
装置及技术研究
奥趋光电王琦琨博士:PVT法
生长
高质量大尺寸AlN单晶的最新进展与挑战
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页/共
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