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武汉大学联合中科大iGaN实验室与工信部电子五所在GaN基HEMTs的沟道温度监测研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-02-14 14:46
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利，方法制作工艺简单
 评论 ⋅  2024-10-29 18:01
扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利，降低平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-06-03 16:44
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-04-30 16:27
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利，实现电流密度的增加
 评论 ⋅  2024-03-26 18:37
芯导科技申请TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法专利，进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
 评论 ⋅  2024-02-28 17:32
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利，能够降低器件的沟道电阻
 评论 ⋅  2024-02-06 14:15
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET
 评论 ⋅  2023-06-15 15:14
东芝推出采用最新一代工艺150V N沟道功率MOSFET大幅提高电源效率
 评论 ⋅  2022-03-31 15:08
南科大马俊在新型多沟道氮化镓电力电子器件领域取得进展
 评论 ⋅  2021-08-06 17:33
如何在先进驾驶辅助系统 (ADAS) 和自动驾驶 (AD) 应用中使用雷达收发
驾驶高性能发射演示都是沟道
 评论 ⋅  2020-09-03 07:27
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