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第三代半导体
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镓(GaN)产业剖析
苏州纳米所器件部樊士钊等JAP:利用电子通道衬度成像方法分析
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镓异质结中的穿透位错和失配位错
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物宽禁带半导体企业中博芯宣布完成Pre-A轮融资
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镓功率芯片厂商纳微半导体收购SiC公司GeneSiC 加速在电动汽车等领域扩张
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苏州纳维总部大楼荣耀封顶!预计年产
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镓单晶衬底及外延片5万片以上
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物宽禁带半导体材料厂商中博芯将亮相第十七届全国MOCVD学术会议
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纳微半导体发布全球首份
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镓芯片企业镓未来完成近亿元A+融资
赛微电子青州聚能国际硅基
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镓功率器件半导体制造项目主厂房封顶
赛微电子青州
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镓产线主厂房封顶
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镓功率芯片行业领导者纳微半导体公布2022年一季度财务业绩
满产状态!徐州致能半导体
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镓及其共封装器件研发生产项目正试生产
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镓材料刻蚀系统公开招标公告
闻泰科技已推出并量产硅基
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镓功率器件,碳化硅二极管产品已经出样
罗姆与台达联手开发第三代半导体GaN(
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镓)功率器件
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物材料生长界面研究方面取得新进展
数字电源时代,Baseus倍思春季发布会多款
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镓快充新品齐亮相
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镓充电器为何尚未“人手一充”?
北大材料学院刘磊课题组在六方
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硼材料的制备及其同位素效应研究中取得系列进展
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镓未来十年的工作重点
氮化
镓未来十年的工作重点
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