首页 > 新闻资讯 > 搜索
苏州纳米所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展
 评论 ⋅  2023-10-18 10:44
国星光电联合佛照电工推出33W氮化镓墙插快充新品
 评论 ⋅  2023-09-22 16:00
泰高技术与镓宏半导体一同致力于氮化镓外延片领域的全面战略推进
 评论 ⋅  2023-09-07 11:43
日企新技术可将氮化镓成本降低9成 市场应用空间望打开
 评论 ⋅  2023-09-06 11:11
蔚来增持晶湛半导体，或加码氮化镓外延技术应用上车
 评论 ⋅  2023-08-31 16:01
格恩半导体规模量产氮化镓激光芯片
 评论 ⋅  2023-08-29 13:24
格恩半导体规模量产氮化镓激光芯片
 评论 ⋅  2023-08-28 17:46
规模量产！格恩半导体发布十多款氮化镓激光芯片产品
 评论 ⋅  2023-08-28 08:40
王新强、李新征及合作者确定石墨烯上氮化物半导体单晶材料外延范式
 评论 ⋅  2023-08-25 14:05
英诺赛科宣布氮化镓出货量突破3亿颗
 评论 ⋅  2023-08-17 09:45
英诺赛科氮化镓出货量突破3亿颗！
 评论 ⋅  2023-08-16 17:22
三星购买爱思强MOCVD设备用于氮化镓、碳化硅生产
 评论 ⋅  2023-08-14 15:17
总投资1.2亿元，氮化镓单晶衬底项目签约落地
 评论 ⋅  2023-08-03 17:33
西安电子科技大学许晟瑞：衬底工程对氮化物LED的影响研究
 评论 ⋅  2023-08-02 13:27
西安电子科技大学许晟瑞：衬底工程对氮化物LED的影响研究
 评论 ⋅  2023-08-02 11:30
中镓半导体刘强：面向氮化镓同质外延功率/光电器件应用的氮化镓单晶衬底制备技术研发进展
 评论 ⋅  2023-08-02 10:10
莱特葳芯半导体刘天奇：智能化高频高压氮化镓驱动技术研究进展
 评论 ⋅  2023-08-01 11:55
上海微系统所成功实现六方氮化硼纳米带的带隙调控
 评论 ⋅  2023-07-16 11:42
CASICON西安站前瞻|西安交通大学陈冉升:六方氮化硼薄膜生长及hBN/BAlN异质结构电学特性的研究
 评论 ⋅  2023-07-13 16:41
CASICON西安站前瞻|西安电子科技大学教授宁静：宽禁带氮化物外延材料及集成器件
 评论 ⋅  2023-07-07 16:13
华润微：2023年IGBT产品营收目标是10亿元，碳化硅和氮化镓产品营收力争上亿
 评论 ⋅  2023-07-07 11:16
纳微联手重力星球发布全球首款变形金刚联名65W氮化镓充电器
 评论 ⋅  2023-06-27 17:13
预计：到2028年全球氮化镓射频器件市场价值将达到27亿美元
 评论 ⋅  2023-06-27 16:07
北大许福军、沈波团队在氮化物半导体大失配外延研究上取得突破性进展
 评论 ⋅  2023-06-27 09:39
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族氮化物异质外延膜
北京大学III族氮化物外延层薄膜宽禁带半导体
 评论 ⋅  2023-06-25 08:05
中科院微电子所：在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展
 评论 ⋅  2023-06-06 11:30
美国国家工程院院士Umesh Mishra：高效率氮化物功率半导体和射频电子研究进展
 评论 ⋅  2023-05-29 09:56
安世半导体副总裁 Carlos Castro：氮化镓功率电子器件和典型应用
 评论 ⋅  2023-05-29 09:34
英飞凌牵头欧洲联合研究计划 预算6000万欧元 发力氮化镓功率器件
 评论 ⋅  2023-05-23 16:27
新微半导体40V增强型氮化镓功率器件工艺平台成功量产
 评论 ⋅  2023-05-19 17:38
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部