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IFWS&SSLCHINA2024| 氮化物半导体固态紫外技术及应用新动向
 评论 ⋅  2024-11-26 16:42
CASA立项“氮化铝晶片位错密度检测方法 腐蚀坑密度测量法”等2项氮化铝团体标准
 评论 ⋅  2024-11-25 15:50
北京大学沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件——IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-25 14:32
氮化镓功率电子器件技术分会日程出炉|IFWS 2024前瞻
 评论 ⋅  2024-11-09 17:17
国星光电子公司风华芯电成功开发出扇出型D-mode氮化镓半桥模块
 评论 ⋅  2024-11-08 20:52
IFWS2024：氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-31 09:33
SSLCHINA 2024前瞻：氮化物半导体固态紫外技术及应用分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-30 11:36
IFWS2024：氮化镓射频电子器件与应用分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-30 09:55
临沂：加快氮化镓新材料项目建设
 评论 ⋅  2024-10-29 17:48
氮化镓射频电子器件与应用分会日程出炉 | IFWS2024 前瞻
 评论 ⋅  2024-10-29 14:32
德州仪器扩大氮化镓半导体自有制造规模，产能提升至原来的四倍
 评论 ⋅  2024-10-28 17:37
一文解开远山氮化镓功率器件实现耐高压的秘密
 评论 ⋅  2024-10-28 10:25
德州仪器新氮化镓工厂投产
 评论 ⋅  2024-10-25 16:29
晶驰机电：碳化硅、金刚石、氮化铝半导体材料装备项目有望本月投产
 评论 ⋅  2024-10-21 10:15
远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件
 评论 ⋅  2024-10-20 18:47
浪潮华光参与制定的国家标准《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试透射电子显微镜法》正式发布
 评论 ⋅  2024-10-15 14:15
台湾8英寸氮化镓功率厂商投资案通过
 评论 ⋅  2024-10-10 17:07
荣盛晶科技氮化镓材料产业基地投产
 评论 ⋅  2024-09-19 15:57
新镓能半导体氮化镓项目落户无锡惠山
 评论 ⋅  2024-09-19 15:53
冠鼎半导体1.055亿元新建氮化镓项目
 评论 ⋅  2024-09-19 14:06
英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
 评论 ⋅  2024-09-12 17:30
氮化镓名企BelGaN宣告破产，潜在竞购者报价1.3亿欧元
 评论 ⋅  2024-08-27 09:03
香港首个第三代半导体氮化镓外延工艺研发中心将成立
 评论 ⋅  2024-07-31 17:11
香港将建设首条第三代半导体氮化镓晶圆生产线 目标2027年产能1万片
 评论 ⋅  2024-07-31 10:28
第三代半导体中“慢半拍”的氮化镓掀起并购热
 评论 ⋅  2024-07-23 09:19
清华大学功率半导体用氮化硅基板烧结装备研制项目签约湖南企业
 评论 ⋅  2024-07-22 13:47
中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2024-07-22 11:27
我国攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-19 10:57
广东微纳院半导体微纳加工中试平台通线，具有8英寸硅晶圆和氮化镓晶圆加工能力
 评论 ⋅  2024-07-15 10:33
英诺赛科“含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件及其制造方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-07-12 16:07
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