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IFWS2024：氮化镓射频电子器件与应用分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-30 09:55
临沂：加快氮化镓新材料项目建设
 评论 ⋅  2024-10-29 17:48
氮化镓射频电子器件与应用分会日程出炉 | IFWS2024 前瞻
 评论 ⋅  2024-10-29 14:32
德州仪器扩大氮化镓半导体自有制造规模，产能提升至原来的四倍
 评论 ⋅  2024-10-28 17:37
一文解开远山氮化镓功率器件实现耐高压的秘密
 评论 ⋅  2024-10-28 10:25
德州仪器新氮化镓工厂投产
 评论 ⋅  2024-10-25 16:29
远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件
 评论 ⋅  2024-10-20 18:47
台湾8英寸氮化镓功率厂商投资案通过
 评论 ⋅  2024-10-10 17:07
荣盛晶科技氮化镓材料产业基地投产
 评论 ⋅  2024-09-19 15:57
新镓能半导体氮化镓项目落户无锡惠山
 评论 ⋅  2024-09-19 15:53
冠鼎半导体1.055亿元新建氮化镓项目
 评论 ⋅  2024-09-19 14:06
英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
 评论 ⋅  2024-09-12 17:30
氮化镓名企BelGaN宣告破产，潜在竞购者报价1.3亿欧元
 评论 ⋅  2024-08-27 09:03
香港首个第三代半导体氮化镓外延工艺研发中心将成立
 评论 ⋅  2024-07-31 17:11
香港将建设首条第三代半导体氮化镓晶圆生产线 目标2027年产能1万片
 评论 ⋅  2024-07-31 10:28
第三代半导体中“慢半拍”的氮化镓掀起并购热
 评论 ⋅  2024-07-23 09:19
我国攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-19 10:57
广东微纳院半导体微纳加工中试平台通线，具有8英寸硅晶圆和氮化镓晶圆加工能力
 评论 ⋅  2024-07-15 10:33
西安电子科技大学攻克 1200V 以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-11 17:31
三安半导体“氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件”专利公布
 评论 ⋅  2024-07-03 15:11
三安光电突破氮化镓芯片产业化难题
 评论 ⋅  2024-06-28 08:20
CASICON晶体大会平行论坛2：追踪氮化镓、超宽禁带晶体及其应用进展
 评论 ⋅  2024-06-23 22:17
CASICON晶体大会前瞻|中国科学院半导体研究所张逸韵:异质集成氮化镓微腔激光器及光电器件研究
 评论 ⋅  2024-06-13 16:25
名古屋大学天野浩团队Nature发文：氮化镓 的2D-Mg掺杂现象
 评论 ⋅  2024-06-11 09:54
CASICON晶体大会前瞻|深圳大学刘新科：低成本垂直氮化镓功率器件
 评论 ⋅  2024-05-29 11:02
中国科大孙海定教授和武大刘胜院士Nature Electronics封面论文: 发明新型氮化镓光电二极管
 评论 ⋅  2024-04-30 14:07
CSPSD 2024成都前瞻|上海大学任开琳：一种新型氮化镓基发光高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2024-04-23 09:53
CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大学罗小蓉：《氮化镓功率器件结构、驱动和电源应用
 评论 ⋅  2024-04-18 09:57
CSPSD 2024成都前瞻 |西交利物浦大学刘雯：用于功率转换系统的氮化镓单片集成
 评论 ⋅  2024-04-17 16:39
CSPSD 2024成都前瞻 |中国科学院微电子研究所蒋其梦：氮化镓功率器件开关安全工作区的研究
 评论 ⋅  2024-04-16 15:24
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