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中电科13所敦少博:高耐压
氧化镓
功率器件研制进展与思考
电子科技大学罗小蓉课题组在超宽禁带半导体
氧化镓
功率器件领域取得研究进展
CASICON西安站前瞻|西安电子科技大学王逸飞:基于
氧化镓
材料性能调控及高性能日盲紫外光电探测器的研究
CASICON西安站前瞻|西安电子科技大学孙汝军:
氧化镓
的电子态缺陷研究
厦门大学张洪良团队在
氧化镓
半导体带隙工程和日盲紫外光电探测器研究取得进展
重点研发“卡脖子”项目,同济大学
氧化镓
材料项目签约江苏无锡
同济大学第四代半导体
氧化镓
材料项目签约无锡高新区
同济大学第四代半导体
氧化镓
材料项目落地江苏省无锡市高新区
同济大学
第四代
半导体
氧化镓
材料
项目
江苏省
无锡市高新区
【国际论文】具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗
氧化镓
纵向FinFET
具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗
氧化镓
纵向FinFET
厦门大学张洪良团队在宽禁带
氧化镓
半导体掺杂电子结构研究取得进展
厦门大学教授张洪良:
氧化镓
薄膜外延及电子结构研究
南京邮电大学
氧化镓
创新中心(IC-GAO)
氧化镓
日盲紫外阵列成像器件研究取得新突破
CASICON 2023长沙站:氮化镓、
氧化镓
及其他新型半导体技术进展探讨
镓仁半导体完成数千万天使轮融资,加速
氧化镓
中试线研发等
厦大研究团队在高灵敏、自供电
氧化镓
日盲紫外光电探测器研究取得进展
闻泰科技:已布局第三代化合物半导体 暂无
氧化镓
相关产品
闻泰科技:已布局第三代化合物半导体,暂无
氧化镓
相关产品
国内首批!铭镓半导体实现4英寸
氧化镓
晶圆衬底技术突破
国内第一!中国电科46所成功制备6英寸
氧化镓
单晶
中国首颗6英寸
氧化镓
单晶成功制备,第四代半导体呼啸而来
中国科大龙世兵课题组研制出
氧化镓
垂直槽栅场效应晶体管
中国科大在
氧化镓
半导体器件领域取得重要进展
国产4英寸
氧化镓
晶圆衬底技术获突破!
新型超宽禁带半导体材料厂商铭镓半导体实现4英寸
氧化镓
晶圆衬底技术突破
宽禁带
氧化镓
半导体在压电与射频器件中的应用
4英寸
氧化镓
单晶生长与性能分析
山东大学成功研制高质量4英寸
氧化镓
晶体
一文读懂
氧化镓
半导体
郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2
氧化镓
二极管并首次在
氧化镓
中实现空穴超注入效应
第
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