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深圳平湖实验室在氧化镓理论研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2024-11-11 15:08
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
 评论 ⋅  2024-10-30 20:06
镓仁半导体：铸造法成功生长超厚6英寸氧化镓单晶！
 评论 ⋅  2024-10-29 19:59
镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)2英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2024-10-27 22:32
日本FOX公司计划2028年量产6英寸氧化镓晶圆
 评论 ⋅  2024-10-21 17:07
杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶衬底抛光片划片方法专利，减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
 评论 ⋅  2024-10-21 10:26
镓仁半导体推出氧化镓专用长晶设备
 评论 ⋅  2024-09-23 15:22
富加镓业年产10000片6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工
 评论 ⋅  2024-09-14 15:51
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底
 评论 ⋅  2024-09-12 10:48
新突破︱镓仁半导体晶圆级(010)氧化镓单晶衬底直径突破3英寸
 评论 ⋅  2024-07-16 10:54
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破
 评论 ⋅  2024-06-04 10:25
厦门大学团队在第四代半导体氧化镓材料外延和深紫外探测应用领域研究取得重要进展
 评论 ⋅  2024-04-18 16:08
6英寸氧化镓单晶实现产业化
 评论 ⋅  2024-03-21 16:32
晶旭半导体获战略投资协议，计划实现年产75万片ε相氧化镓外延片（压电领域用）
 评论 ⋅  2024-02-05 15:35
第四代半导体迎来新进展 相关A股公司抢抓“新风口”
氧化镓外延片单晶Ga2O3金刚石氮化铝
 评论 ⋅  2024-01-09 10:42
武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 18:02
IFWS 2023│厦门大学徐翔宇：氧化镓缺陷研究，合金工程电子结构调制以及日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2023-12-05 16:32
宁波材料所研发氧化镓基日盲紫外光电探测器的低温制备技术
 评论 ⋅  2023-11-16 10:38
国际上首次！基于晶圆级高导热异质集成衬底实现已报道的最高截止频率氧化镓射频器件
 评论 ⋅  2023-11-08 19:39
镓和半导体展示多规格氧化镓单晶衬底并首次公开发布4英寸（100）面单晶衬底参数
 评论 ⋅  2023-10-24 16:35
日本研发出氧化镓低成本制法
 评论 ⋅  2023-10-09 15:43
厦门大学张洪良和上海光机所齐红基团队在深紫外透明导电Si掺杂氧化镓异质外延薄膜研究取得进展
 评论 ⋅  2023-09-08 17:55
西安电子科技大学郝跃院士团队：氧化镓功率器件研究成果
 评论 ⋅  2023-08-24 14:51
新突破！4英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功
 评论 ⋅  2023-08-18 15:32
厦门大学教授张洪良：氧化镓薄膜外延与电子结构研究
 评论 ⋅  2023-08-16 14:06
南京邮电大学张茂林：氧化镓材料生长与阵列探测器研究
 评论 ⋅  2023-08-03 15:18
厦门大学徐翔宇：氧化镓缺陷、合金化电子结构调控及日盲光电探测器研究
 评论 ⋅  2023-08-03 10:55
西安电子科技大学王逸飞：基于氧化镓材料性能调控及高性能日盲紫外光电探测器的研究
 评论 ⋅  2023-08-03 10:48
中国电科46所霍晓青：面向氧化镓功率器件的大尺寸氧化镓单晶材料技术
 评论 ⋅  2023-08-01 15:55
西安电子科技大学孙汝军：氧化镓的电子态缺陷研究
 评论 ⋅  2023-08-01 14:23
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