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芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
华羿微电“一种低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-06 14:07
扬杰科技申请降低栅极电容的 SiCMOSFET 及制备方法专利，降低 SiCMOSFET 栅极电容
 评论 ⋅  2024-07-18 16:20
新微半导体“一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-06-12 16:15
CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大学孙佳慧：肖特基型p-GaN栅GaN HEMT的栅极抗静电鲁棒性
 评论 ⋅  2024-04-17 16:46
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:11
IFWS 2023│华南师范大学尹以安：具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
 评论 ⋅  2023-12-18 10:11
西安交通大学王玮：低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
 评论 ⋅  2023-08-01 14:44
CASICON西安站前瞻|西安交通大学王玮：低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
 评论 ⋅  2023-07-13 16:02
简述通过栅极驱动器提高开关电源功率密度
 评论 ⋅  2023-01-05 09:29
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
 评论 ⋅  2022-12-27 16:03
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇
 评论 ⋅  2022-12-07 14:48
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
 评论 ⋅  2022-09-22 08:56
技术分享 | GaN器件驱动及简化栅极驱动设计的方法
 评论 ⋅  2022-06-22 18:08
栅极驱动器以及 SiC MOSFET 栅极驱动分析
 评论 ⋅  2022-06-16 12:05
ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制
 评论 ⋅  2022-04-11 16:58
芯片上的突破！清华制成世界上栅极长度最小晶体管
 评论 ⋅  2022-03-21 16:16
清华大学团队首次实现了具有亚1nm栅极长度的晶体管
 评论 ⋅  2022-03-11 10:35
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE：i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:39
加拿大多伦多大学教授吴伟东：GaN功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2021-12-13 11:51
解析适用于 SiC 栅极驱动的 PCB 布局方法
 评论 ⋅  2021-06-17 09:39
意法半导体推出紧凑型SO-8W封装6kV磁隔离高压栅极驱动器
 评论 ⋅  2020-11-05 17:46
如何放缓开关期间的dV/dt
栅极电路缓冲电感波形寄生
 评论 ⋅  2020-09-03 00:59
Microchip推出业界唯一低电感碳化硅（SiC）功率模块和可编程栅极驱动器工具包，助力逆变器设计人员
栅极驱动器可编程功率工具包模块
 评论 ⋅  2020-09-01 03:23
英飞凌推出62mm CoolSiC™模块，为碳化硅开辟新应用领域
英飞凌模块栅极设计开关封装
 评论 ⋅  2020-07-14 08:12
两会再传充电桩产业利好，以高效率、大功率充电解决方案迎接新基建风口
充电栅极隔离驱动器功率关键
 评论 ⋅  2020-06-08 03:25
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