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第四代半导体氧化镓,浙大
杭州科创中心
新技术路线制备 2 英寸晶圆
国际首创!浙大
杭州科创中心
首次采用新技术路线成功制备2英寸氧化镓晶圆
浙大
杭州科创中心
获得首批氧化镓单晶衬底
中科院院士牵头打造宽禁带半导体材料与器件平台,浙大
杭州科创中心
加速推进
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