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湖南三安半导体申请功率器件专利，可提高钝化层在外围区域的附着力
 评论 ⋅  2024-11-12 16:26
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
广东巨风半导体取得IGBT模块专利，提高模块性能
 评论 ⋅  2024-11-12 15:49
广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利，提高集成电路的存储密度
 评论 ⋅  2024-10-31 13:57
英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效
 评论 ⋅  2024-10-30 19:37
英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效
 评论 ⋅  2024-10-30 09:51
合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利，能够提高半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-10-29 18:00
上海壁仞科技取得封装结构专利，提高散热性能
 评论 ⋅  2024-09-20 11:00
晶合集成申请一种半导体结构的制作方法及动态调整系统专利，提高半导体结构的良率
 评论 ⋅  2024-09-19 17:13
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利，提高器件的高压 H3TRB 的可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 15:53
Wolfspeed推出创新碳化硅模块 以提高清洁能源产能
 评论 ⋅  2024-09-10 16:20
江苏能华微取得 GaN 肖特基二极管相关专利，有效提高了 GaN 肖特基二极管的性能
 评论 ⋅  2024-09-03 10:56
苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利，提高半导体外延层的性能
 评论 ⋅  2024-08-29 10:52
福建泓光半导体材料取得一种光刻胶自动过滤装置专利，提高工作效率
 评论 ⋅  2024-08-20 20:32
豪纬集团申请一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法专利，有效提高微纳结构中有源层的发光效率
 评论 ⋅  2024-08-13 16:14
极紫外光刻新技术问世 能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本
 评论 ⋅  2024-08-02 08:56
全新 EVG®880 LayerRelease™ 离型层系统将半导体层转移技术产量提高一倍
 评论 ⋅  2024-06-19 15:24
长光华芯申请高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法专利，有效提高评估结果准确度
 评论 ⋅  2024-06-04 15:48
晶合集成申请半导体专利，能提高半导体器件的稳定性和平衡性
 评论 ⋅  2024-05-30 09:37
广电计量申请SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法及装置专利，提高了老化效率，加速了双极退化
 评论 ⋅  2024-03-28 12:01
芯联集成：全球领先的新一代IGBT器件会在24年下半年量产，大幅提高单位晶圆片的芯片产出数量
 评论 ⋅  2024-03-28 11:57
北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
长鑫存储申请晶圆级封装方法专利，提高晶圆封装的良率
 评论 ⋅  2024-03-12 17:52
比亚迪半导体申请终端结构及其制造方法以及功率器件专利，能够提高耐压值
 评论 ⋅  2024-03-08 15:13
北京大学申请大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法专利，提高整个异质集成结构的热导率
 评论 ⋅  2024-03-06 10:13
比亚迪半导体申请逆导型IGBT功率器件专利，有效抑制负阻效应，提高器件性能
 评论 ⋅  2024-03-01 10:41
晶合集成取得半导体器件及其制备方法专利，改善电阻Rc并提高良率
 评论 ⋅  2024-02-29 11:37
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