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日本丰田汽车公司Kimimori HAMADA：超窄体（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑战性结构
 评论 ⋅  2020-12-23 15:28
【泰克电源 设计与测试】致工程师系列之五：优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计
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 评论 ⋅  2020-08-31 06:06
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端接接地负载电阻电压环路
 评论 ⋅  2020-06-05 01:42
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