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捷捷微电取得降低开关
损耗
的分离栅MOSFET器件及其制造方法专利,降低了开关
损耗
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利,降低导通电阻进而降低
损耗
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利,降低导通电阻进而降低
损耗
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学魏杰:高速低
损耗
SOI LIGBT新结构与机理研究
CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料实验室王方洲:低
损耗
高耐压Si基GaN双向阻断功率器件研究
华为公司申请半导体器件及其制备方法专利,降低半导体器件的功率
损耗
通用电气申请超结功率半导体装置专利,减少切换
损耗
通用电气,功率半导体,超结,专利
嘉善复旦研究院与复旦大学科研团队在低传导
损耗
功率器件方面取得重大进展
【国际论文】具有集成鳍型二极管的低反向导通
损耗
氧化镓纵向FinFET
具有集成鳍型二极管的低反向导通
损耗
氧化镓纵向FinFET
东芝、电装等力争2030年前实现功率半导体电力
损耗
减半
东芝、电装等开发功率半导体节能技术,力争2030年前实现电力
损耗
减半
日本东芝开发的功率半导体,最大可降低40.5%的功率
损耗
降
损耗
,高可靠!东南大学科研团队氮化镓项目再获突破
如何减少SiC MOSFET的EMI和开关
损耗
技术 | 20 VIN、8 A高效率微型封装降压型µModule器件
提供
引脚
采用
封装
器件
损耗
减少开关
损耗
:儒卓力提供来自罗姆的节能SiC-MOSFET
提供
封装
评测
产品
分销商
在线
提高功率密度的利弊权衡及所需技术
功率
密度
损耗
提高
设计人员
因素
GaN器件的直接驱动配置
开关
拓扑
晶体管
器件
损耗
更佳
GaN 将能源效率推升至新高度
高效
损耗
劳伦斯
电容
电源
就会
东芝推出600V小型智能功率器件,助力降低电机功率
损耗
东芝
600V
小型
智能
功率器件
电机
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