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技术分享 | GaN器件驱动及简化栅极驱动设计的方法
 评论 ⋅  2022-06-22 18:08
SiC 动态表征和测量方法简述
 评论 ⋅  2022-06-22 09:28
西安交大在氧化物薄膜外延领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-06-21 13:52
台积电公布最新技术路线图：2025年量产2纳米技术
 评论 ⋅  2022-06-20 16:46
三星计划三年内打造 3 纳米 GAA（Gate-all-around）工艺
 评论 ⋅  2022-06-20 15:35
广东省科学院半导体研究所新型显示团队在微器件巨量组装和集成领域重要研究进展
 评论 ⋅  2022-06-17 10:58
工作温度横跨400度！工研院VLSI发表世界顶尖“磁性存储器”技术
 评论 ⋅  2022-06-17 10:02
栅极驱动器以及 SiC MOSFET 栅极驱动分析
 评论 ⋅  2022-06-16 12:05
SiC MOS产品驱动设计之寄生导通问题分析与设计建议
 评论 ⋅  2022-06-16 11:03
厦门大学课题组在超高响应度日盲光电探测纸研究重要进展
 评论 ⋅  2022-06-16 10:51
聚焦集成电路等领域 浙江省两家技术创新中心落地杭州，揭牌成立
 评论 ⋅  2022-06-15 09:54
MOCVD设备厂商Veeco取得TSRI订单 加速第三代半导体技术应用
 评论 ⋅  2022-06-13 17:30
华为公布量子芯片新专利，若实现商用或革新当下硅基芯片技术
 评论 ⋅  2022-06-13 10:21
多层MoS2外延晶圆推动二维半导体器件应用的研究进展
 评论 ⋅  2022-06-13 10:18
超结 IGBT 最新研究进展
 评论 ⋅  2022-06-10 14:28
全面自主研发和量产！中机新材在精密研磨抛材料研制方面获多项技术突破
 评论 ⋅  2022-06-10 10:19
厦大蔡端俊教授课题组在实验上第一次成功获得二维半导体h-BN的n型导电
 评论 ⋅  2022-06-08 16:03
中科院上海光机所在单频589nm光纤激光器研究方面取得进展
 评论 ⋅  2022-06-08 12:37
SiC MOSFET的Vgs门极电压的选取及其影响
 评论 ⋅  2022-06-06 15:16
先进碳化硅技术助力储能系统
 评论 ⋅  2022-06-06 10:15
清华大学团队研制出国际首款实时超光谱成像芯片
 评论 ⋅  2022-06-01 16:13
上海交大材料学院郭益平教授课题组在柔性压电传感器的研究中取得新进展
 评论 ⋅  2022-06-01 08:58
国家第三代半导体技术创新中心分中心落地太原
 评论 ⋅  2022-05-31 11:35
南科大邓巍巍课题组在打印制备剪纸有机光伏电池领域取得新成果
 评论 ⋅  2022-05-31 09:17
上海光机所在光寻址空间光调制器方面取得新进展
 评论 ⋅  2022-05-31 09:15
南京大学团队在宽禁带半导体EUV探测器领域取得新进展
 评论 ⋅  2022-05-30 09:52
研究实现44GHz超高频SAW谐振器 刷新目前工作频率纪录
 评论 ⋅  2022-05-30 09:41
北大张青课题组在硒化铟材料静水压荧光调控及近红外激光研究方面取得进展
 评论 ⋅  2022-05-30 09:38
Wolfspeed SiC 技术，助力简化半导体设备设计
 评论 ⋅  2022-05-30 09:23
​Wolfspeed：先进碳化硅技术，助力简化半导体设备设计
 评论 ⋅  2022-05-30 09:19
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