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中电科55所李赟受邀将出席2023先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛并做主题报告
 评论 ⋅  2023-06-25 14:44
科友半导体突破8英寸SiC量产关键技术
 评论 ⋅  2023-06-25 13:57
半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-06-25 11:17
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族氮化物异质外延膜
北京大学III族氮化物外延层薄膜宽禁带半导体
 评论 ⋅  2023-06-25 08:05
中电科汽车芯片中心与西部智联联手 瞄准车用芯片核心技术
 评论 ⋅  2023-06-19 08:01
广东省质量强省建设纲要：加快发展集成电路等产业关键核心技术
 评论 ⋅  2023-06-16 10:36
Chiplet成半导体性能提升重要路径
 评论 ⋅  2023-06-15 15:07
中科院宣布，光计算芯片领域新突破！
 评论 ⋅  2023-06-15 10:51
共创未来，引领IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用
 评论 ⋅  2023-06-14 15:54
UV LED技术、产品、市场新动态
 评论 ⋅  2023-06-14 14:55
【国际论文】具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET
 评论 ⋅  2023-06-13 18:10
具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET
 评论 ⋅  2023-06-13 17:13
扬杰科技与东南大学签署战略合作协议，共建宽禁带功率器件技术联合研发中心
 评论 ⋅  2023-06-12 10:15
世界最好水平！奥趋光电推出新一代超高透过率AlN单晶衬底
 评论 ⋅  2023-06-12 09:28
工信部：深化与跨国企业在车用芯片等领域的投资技术合作
 评论 ⋅  2023-06-12 07:54
扬杰科技将与东南大学共建宽禁带功率器件技术联合研发中心
 评论 ⋅  2023-06-09 10:06
简述GaN 外延生长方法及生长模式
 评论 ⋅  2023-06-08 16:20
国际团队开发出一种“3D光量子存储器”原创技术
 评论 ⋅  2023-06-08 14:57
中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2023-06-08 10:48
基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2023-06-08 09:44
2023 先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛将于7月在上海举办
 评论 ⋅  2023-06-07 09:02
工信部明确全面推进6G技术研发
 评论 ⋅  2023-06-06 16:22
上海光机所在特殊波长的飞秒超快光纤激光器研制方面获进展
 评论 ⋅  2023-06-06 11:53
中科院微电子所：在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展
 评论 ⋅  2023-06-06 11:30
工信部明确全面推进6G技术研发
 评论 ⋅  2023-06-05 10:12
台积2纳米试产 有动作了
 评论 ⋅  2023-06-05 09:54
科技部：高度重视第三代半导体技术创新和产业发展
 评论 ⋅  2023-06-01 07:58
2023一带一路暨金砖大赛先进半导体技术及应用赛项报名啦
 评论 ⋅  2023-05-31 17:53
苏州发布政策 支持国家第三代半导体技术创新中心（苏州）等发展
 评论 ⋅  2023-05-30 16:49
上海市科学技术奖揭晓 复旦大学微电子学院团队获一等奖
 评论 ⋅  2023-05-30 10:21
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