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IFWS 2022前瞻：射频电子材料与器件技术分会日程公布
 评论 ⋅  2023-01-06 19:03
日本同美国商定扩大经济安保领域合作，涉半导体、生物科技等新兴技术
 评论 ⋅  2023-01-06 17:02
IFWS 2022前瞻：超宽禁带及其他新型半导体材料与器件技术分会日程公布
 评论 ⋅  2023-01-05 19:29
简述通过栅极驱动器提高开关电源功率密度
 评论 ⋅  2023-01-05 09:29
长春应化所在晶态有机发光二极管研究中取得重要进展
 评论 ⋅  2023-01-05 09:28
IFWS 前瞻：氮化物衬底材料生长与外延技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-01-04 19:00
成都岷山功率半导体技术研究院完成2000万首轮融资
 评论 ⋅  2023-01-04 14:58
东南大学两项研究成果发表于电子器件领域顶会IEDM
 评论 ⋅  2023-01-04 09:40
厦大课题组在有机半导体空穴传输材料领域取得系列进展
 评论 ⋅  2023-01-04 09:37
山东省新一代半导体技术与系统等重点实验室批准建设
 评论 ⋅  2023-01-03 16:06
俄亥俄州立大学的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力
 评论 ⋅  2023-01-03 15:21
上海微系统所在碳化硅异质集成材料与光子器件领域取得进展
 评论 ⋅  2022-12-30 15:25
中国科大在低维光伏材料点缺陷性质研究中取得新进展
 评论 ⋅  2022-12-30 09:13
清华大学研究团队合作利用激光加工氮化硼实现大规模高性能量子光源
 评论 ⋅  2022-12-28 14:53
自力更生！坚决打赢半导体领域核心技术攻坚战
 评论 ⋅  2022-12-28 13:58
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
 评论 ⋅  2022-12-27 16:03
中国电科46所氮化铝单晶材料关键技术取得重大突破
 评论 ⋅  2022-12-26 17:57
浅谈碳化硅寿命中的挑战
 评论 ⋅  2022-12-22 15:09
银河微电：功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产
 评论 ⋅  2022-12-21 15:07
中科潞安牵头大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术获得立项
 评论 ⋅  2022-12-21 13:47
硅基氮化镓Micro-LED，实现高速可见光通信信号探测
 评论 ⋅  2022-12-19 18:47
赛微电子：深耕MEMS工艺带来技术优势，MEMS晶圆价格持续上涨
 评论 ⋅  2022-12-16 17:35
西安交大提出“仿生门控”柔性传感新模式
 评论 ⋅  2022-12-16 17:30
合肥经开区发布《合肥经济技术开发区支持软件和集成电路产业发展若干政策》
 评论 ⋅  2022-12-16 11:39
中共中央、国务院：推动人工智能、先进通信、集成电路、新型显示、先进计算等技术创新应用
 评论 ⋅  2022-12-16 11:27
中共中央、国务院印发《扩大内需战略规划纲要（2022－2035年）》：推动人工智能、集成电路等技术创新和应用
 评论 ⋅  2022-12-15 11:39
重要发现！3C-SiC有望PK单晶金刚石，成为高导热材料的选择
 评论 ⋅  2022-12-14 20:16
简述低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术
 评论 ⋅  2022-12-14 15:17
长春半导体激光技术创新中心产线建设项目如期竣工
 评论 ⋅  2022-12-14 11:34
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
 评论 ⋅  2022-12-14 10:27
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