首页 > 新闻资讯 > 搜索
国外研发半导体和超导体混合材料
 评论 ⋅  2023-07-06 15:27
日程出炉 2023先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛即将启程
 评论 ⋅  2023-07-05 16:04
全球首颗！中国团队推出AI全自动设计CPU！
 评论 ⋅  2023-07-04 10:42
中科院科学家在8英寸碳化硅单晶研制中获进展
 评论 ⋅  2023-07-04 09:59
厦门大学张洪良团队在氧化镓半导体带隙工程和日盲紫外光电探测器研究取得进展
 评论 ⋅  2023-07-03 18:53
合肥工业大学携手中国科学技术大学，共同培养高水平芯片人才
 评论 ⋅  2023-07-03 10:03
简述先进封装Chiplet的优缺点
 评论 ⋅  2023-06-30 23:08
南京大学在GaN基Micro LED研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2023-06-30 22:51
中国电科实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖
 评论 ⋅  2023-06-30 11:10
聚焦关键核心技术攻关，国家集成电路设计自动化技术创新中心揭牌
 评论 ⋅  2023-06-30 10:41
中山大学王钢教授团队在NiO/β-Ga₂O₃异质结在功率器件领域的研究进展
 评论 ⋅  2023-06-29 17:31
北大许福军、沈波团队在氮化物半导体大失配外延研究上取得突破性进展
 评论 ⋅  2023-06-27 09:39
中科院半导体所在硅基外延量子点激光器研究取得进展
 评论 ⋅  2023-06-26 11:53
国内8英寸SiC传来新进展！
 评论 ⋅  2023-06-26 11:52
复旦大学研究员雷光寅受邀将出席2023先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛并做主题报告
 评论 ⋅  2023-06-25 14:46
中电科55所李赟受邀将出席2023先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛并做主题报告
 评论 ⋅  2023-06-25 14:44
科友半导体突破8英寸SiC量产关键技术
 评论 ⋅  2023-06-25 13:57
半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-06-25 11:17
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族氮化物异质外延膜
北京大学III族氮化物外延层薄膜宽禁带半导体
 评论 ⋅  2023-06-25 08:05
中电科汽车芯片中心与西部智联联手 瞄准车用芯片核心技术
 评论 ⋅  2023-06-19 08:01
广东省质量强省建设纲要：加快发展集成电路等产业关键核心技术
 评论 ⋅  2023-06-16 10:36
Chiplet成半导体性能提升重要路径
 评论 ⋅  2023-06-15 15:07
中科院宣布，光计算芯片领域新突破！
 评论 ⋅  2023-06-15 10:51
共创未来，引领IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用
 评论 ⋅  2023-06-14 15:54
UV LED技术、产品、市场新动态
 评论 ⋅  2023-06-14 14:55
【国际论文】具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET
 评论 ⋅  2023-06-13 18:10
具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET
 评论 ⋅  2023-06-13 17:13
扬杰科技与东南大学签署战略合作协议，共建宽禁带功率器件技术联合研发中心
 评论 ⋅  2023-06-12 10:15
世界最好水平！奥趋光电推出新一代超高透过率AlN单晶衬底
 评论 ⋅  2023-06-12 09:28
工信部：深化与跨国企业在车用芯片等领域的投资技术合作
 评论 ⋅  2023-06-12 07:54
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部