首页 > 新闻资讯 > 搜索
江苏第三代半导体研究院：推动产业创新能力整体跃升
江苏第三代半导体研究院第三代半导体技术创新中心
 评论 ⋅  2021-12-29 16:14
复旦大学袁泽兴：基于玻璃封装高稳定钙钛矿纳米晶色转换材料的高速水下无线光通信
 评论 ⋅  2021-12-27 14:37
华南理工大学李国强教授：可见光通信系统中核心元器件研究
 评论 ⋅  2021-12-27 14:10
丹麦技术大学副教授欧海燕：碳化硅，一种新型的集成光子和量子集成光子平台
碳化硅新型集成光子量子集成光子平台欧海燕
 评论 ⋅  2021-12-27 13:30
光通信技术未来更加凸显其重要性，听专家学者们怎么说？！
 评论 ⋅  2021-12-27 12:57
中科院半导体所荧光型LED的OOK调制速率突破1Gbps
 评论 ⋅  2021-12-24 20:48
重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片
重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片
 评论 ⋅  2021-12-24 15:16
浙大发布两款超导量子芯片 关键指标实现新突破
 评论 ⋅  2021-12-23 19:55
深圳大学物理与光电工程学院副院长武红磊：氮化铝晶体PVT生长装置及技术研究
 评论 ⋅  2021-12-23 16:44
日本产业技术综合研究所沈旭强：无氨高温 MOCVD 生长的高质量极性和半极性氮化铝
 评论 ⋅  2021-12-23 16:29
中科院宁波材料技术与工程研究所陈荔：基于蓝宝石衬底的半极性面AlN外延及高温热处理研究
 评论 ⋅  2021-12-23 16:14
最新关注 氮化物半导体衬底与外延技术进展
 评论 ⋅  2021-12-23 16:09
西电张进成教授团队最新成果：基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN HEMTs
 评论 ⋅  2021-12-22 16:28
厦门大学校长张荣教授：宽禁带半导体全面支撑光电子技术的可持续发展
厦门大学校长张荣教授宽禁带半导体光电子技术
 评论 ⋅  2021-12-20 16:19
上海瞻芯电子杨义：SiC MOSFET多管并联均流驱动技术探讨
 评论 ⋅  2021-12-16 17:46
浙江老鹰半导体莫庆伟：VCSEL技术发展及其在智能感测与汽车雷达中的应用
 评论 ⋅  2021-12-16 17:40
广东晶科电子何贵平：车规LED技术进阶及新产品形态
 评论 ⋅  2021-12-16 17:38
中科院半导体研究所张连：亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延技术研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:47
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE：i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:39
美国Analog设备张薇葭：基于直接键合工艺液冷散热技术的紧凑型氮化镓功率模块设计及其热学模型研究
 评论 ⋅  2021-12-13 18:14
元宇宙时代，Mini/Micro-LED技术产业应用发展趋势
 评论 ⋅  2021-12-11 17:17
港科技术（佛山）董国帅：峰值波长为 222nm 的远紫外线KrCl准分子灯的活化能和寿命研究
 评论 ⋅  2021-12-11 15:59
艾欧史密斯（中国）陈小波：紫外杀菌技术在净水器中的应用研究
 评论 ⋅  2021-12-10 15:55
应用潜力不断释放 固态紫外材料与器件技术最新进展
 评论 ⋅  2021-12-10 15:09
哈尔滨工业大学赵丽丽：低成本碳化硅单晶材料产业化技术研究
 评论 ⋅  2021-12-10 14:14
爱思强中国区副总经理方子文：促进宽禁带半导体产业化的关键外延技术
德国爱思强方子文宽禁带半导体产业化关键外延技术
 评论 ⋅  2021-12-10 11:49
IFWS & SSLCHINA 2021：Mini/Micro-LED技术论坛成功召开
 评论 ⋅  2021-12-10 10:00
照明新时代 光健康与光品质技术应用新进展
 评论 ⋅  2021-12-10 09:58
聚焦新势力 钙钛矿量子点与激光照明显示技术进展
 评论 ⋅  2021-12-10 09:58
启迪半导体研发总监钮应喜：第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及进展
芜湖启迪半导体钮应喜第三代半导体碳化硅器件产业化
 评论 ⋅  2021-12-10 09:35
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部