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韩国政府将重点培育半导体等12项国家战略技术
 评论 ⋅  2022-10-28 18:16
简述IGBT在新能源汽车中的地位
 评论 ⋅  2022-10-28 16:35
华微电子：积极布局以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体器件技术
 评论 ⋅  2022-10-28 15:57
长春光机所高速VCSEL研究进展综述
 评论 ⋅  2022-10-27 17:53
科技部发布《“十四五”技术要素市场专项规划》
 评论 ⋅  2022-10-26 15:39
西安交大科研人员在可穿戴变色应变传感器方面取得新进展
 评论 ⋅  2022-10-26 09:33
西安交大王宏兴教授团队在单晶金刚石衬底技术产业化上取得重大进展
 评论 ⋅  2022-10-25 21:47
沟槽型SiC MOSFET 工艺流程及SiC离子注入
 评论 ⋅  2022-10-25 16:44
IFWS 2022看点前瞻：碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术
 评论 ⋅  2022-10-21 10:02
时代电气已启动IGBT三期新产线建设
 评论 ⋅  2022-10-20 19:21
简述兆巴高压下的金刚石NV中心光探磁共振
 评论 ⋅  2022-10-20 19:18
IFWS 2022看点前瞻：射频电子材料与器件
 评论 ⋅  2022-10-20 11:17
冯志红团队在(001)单晶金刚石上制备了具有同质外延层的金刚石FET
 评论 ⋅  2022-10-19 15:15
盘点我国金刚石半导体与器件科研团队
 评论 ⋅  2022-10-19 15:03
金刚石物理性能调控研究进展
 评论 ⋅  2022-10-19 14:03
IFWS 2022前瞻：LED芯片、封装与光通信技术
 评论 ⋅  2022-10-19 09:58
基于范德华异质结构的电荷采样光电探测器
 评论 ⋅  2022-10-18 17:34
美研究人员开发出十分钟快充电动汽车新技术
 评论 ⋅  2022-10-18 17:29
投资3.4亿元 诺基亚将在加拿大打造新研发中心聚焦5G技术
 评论 ⋅  2022-10-18 17:18
上海光机所在光脉冲群速度控制研究方面取得进展
 评论 ⋅  2022-10-18 16:41
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-17 17:17
清华团队基于二维面内异质结首次同步实现热/电整流
 评论 ⋅  2022-10-17 15:53
苏州纳米所梁伟等在高重复频率窄线宽外腔激光器领域取得进展
 评论 ⋅  2022-10-17 15:51
IFWS 2022前瞻：化合物半导体激光器技术
 评论 ⋅  2022-10-17 11:19
IFWS&SSLCHINA 2022前瞻：Mini/Micro-LED前沿技术与产业应用论坛
 评论 ⋅  2022-10-14 18:48
清华团队基于二维面内异质结首次同步实现热/电整流
 评论 ⋅  2022-10-14 18:09
半导体所等研究团队合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展
 评论 ⋅  2022-10-14 17:45
简述碳化硅功率器件封装关键技术
 评论 ⋅  2022-10-14 17:34
SSLCHINA 2022前瞻：Mini/Micro LED及其他新型显示技术
 评论 ⋅  2022-10-14 14:27
高压碳化硅器件封装国内外研究进展
 评论 ⋅  2022-10-13 14:32
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