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武汉大学联合中科大iGaN实验室与工信部电子五所在GaN基HEMTs的沟道温度监测研究领域取得新进展
Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET
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汽车激光雷达与纯视觉
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方案,谁主沉浮?
推动“
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首创”到“产品首发”!新春伊始,光谷这些产业创新联合实验室加速攻关
北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
中国光子毫米波雷达
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取得突破性进展
中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.:用于超高分辨率micro-LED显示器的远程外延晶体钙钛矿
Nature Review EE:第三代半导体和电力电子是实现碳中和的关键路径
中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功 通过太空验证
中国太空科技新突破!首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功并验证
KAUST AM论文:Ga2O3 晶相异质结
宽禁带半导体超越照明材料与
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全国重点实验室重组获批!
电子科技大学朱慧慧、刘奥教授在Nature Protocols上发表新型半导体薄膜电子器件研究成果
南科大深港微电子学院于洪宇、王中锐、汪青研究团队在LiNbO3压电声表面波相移器领域取得新进展
北京工业大学郭伟玲课题组联合闽都创新实验室、福州大学孙捷课题组:局域表面等离子体增强纳米柱Micro-LED发光
红光对干眼症的干预与治疗概述
安森美完成对Qorvo碳化硅JFET
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的收购
西安电子科技大学保宏教授团队在《Advanced Materials》上发表科研成果
从安森美几款最新品发布看电源
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的绿色变革路线图
长晶科技成功通过省级企业
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中心认定
西安电子科技大学集成电路学部科研团队在《Advanced Materials》发表科研成果
美国将禁止进口中国联网汽车
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核能安全所在超宽禁带材料半导体辐射探测器研制方面取得新进展
台积电亚利桑那州工厂已开始生产4nm芯片
西安电子科技大学苏杰副教授以共同第一作者在Science发表研究成果
北京市2024年第三、四批集成电路等领域政策试点国家高新
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企业名单发布 78家
清纯半导体与士兰微电子继续深化8英寸碳化硅量产线
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支撑与代工合作
智源研究院发布2025十大AI
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美国实验室研发新型激光
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,有望大幅提升芯片制造效率
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