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广东巨风半导体取得IGBT模块专利,提高模块
性能
联合微电子中心取得一种半导体器件专利,提升半导体器件
性能
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利,提高器件
性能
和可靠性
合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利,能够提高半导体器件的
性能
广东气派科技申请 MOSFET 的封装结构专利,采用封装结构得到的 MOSFET 散热
性能
佳
总投资310亿元,星柯先进光电显示产业项目高
性能
载板一号厂房主体封顶
北京大学深圳研究生院在高
性能
低维柔性电子集成方向取得重要进展
左蓝微电子高
性能
5G射频滤波器项目启动
上海壁仞科技取得封装结构专利,提高散热
性能
扬杰科技申请“一种提高可靠
性能
力的碳化硅二极管及其制备方法”专利,提高器件的高压 H3TRB 的可靠性
国创中心联合研发中心逐步发力,“超高
性能
同质外延Micro-LED”取得新突破
江苏能华微取得 GaN 肖特基二极管相关专利,有效提高了 GaN 肖特基二极管的
性能
苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利,提高半导体外延层的
性能
英飞凌推出高
性能
CIPOS™ Maxi 智能功率模块,适用于功率高达 4 千瓦的工业电机驱动器
光谷实验室研发出高
性能
量子点光刻胶
左蓝微电子完成亿元B+轮融资,持续打造射频滤波器
性能
新高度
华羿微电申请高
性能
MOSFET 功率器件外延设计结构专利,降低功率器件制造成本
美国投资14亿美元研发高
性能
Chiplet
长光华芯申请高功率半导体激光芯片
性能
评估及结构优化方法专利,有效提高评估结果准确度
青禾晶元领跑国际,成功研制8寸高
性能
滤波器用压电材料POI衬底
我国高
性能
光子芯片领域取得突破 可批量制造!
西安8英寸高
性能
特色工艺半导体芯片生产线项目实现“交地即交证” 总投资45亿元
西安8英寸高
性能
特色工艺半导体生产线项目争2024年建成投产
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学巫江:基于化合物半导体异质结的高
性能
器件设计与制备
晶合集成申请半导体器件专利,提升半导体器件的
性能
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2,推动低碳化的高
性能
系统
比亚迪半导体申请逆导型IGBT功率器件专利,有效抑制负阻效应,提高器件
性能
新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-GaN垂直异质集成的高
性能
宽光谱探测器研究新成果
宽禁带与二维材料,
能带工程,
光电探测器,
深圳大学,
垂直异质集成
唐为华教授团队通过热重排工程和能带调制实现可调谐的 Ga₂O₃ 日盲光敏
性能
中科潞安量产产品
性能
再升级 大功率UVC-LED器件实验室效率破9.5%
中科潞安
深紫外
UVC-LED
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