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扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利，降低平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
标准 | 2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2024-07-26 11:01
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-06-03 16:44
昕感科技推出兼容15V栅压驱动的1200V/13mΩ低导通电阻SiC MOSFET
 评论 ⋅  2024-05-10 16:37
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-04-30 16:27
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-22 15:07
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-16 15:54
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-07 19:21
【国际论文】具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET
 评论 ⋅  2023-06-13 18:10
具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET
 评论 ⋅  2023-06-13 17:13
北京交大科研团队提出GaN器件动态导通电阻的精确测试与优化方法
 评论 ⋅  2022-11-17 16:42
标准 | 电子五所牵头的T/CASAS 005《用于硬开关电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-07-20 15:48
SiC MOS产品驱动设计之寄生导通问题分析与设计建议
 评论 ⋅  2022-06-16 11:03
新闻发布 | 超低导通阻抗USB C受电接口保护开关，可提供140W的高功率
 评论 ⋅  2021-01-18 11:38
中山大学黎城朗：凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-16 18:30
东芝推出采用全新封装的光继电器，助力实现高密度贴装
东芝封装导通最大值输出公司
 评论 ⋅  2020-09-15 03:16
Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术
封装氮化器件采用了两种导通
 评论 ⋅  2020-06-08 03:49
二极管为什么单向导电？这篇文章终于说明白了
电场导通电荷电压半导体空穴
 评论 ⋅  2020-06-08 03:02
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