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CASICON西安站前瞻|西安交通大学教授杨旭:
宽禁带
器件应用与集成化研究进展
CASICON西安站前瞻|西安电子科技大学教授宁静:
宽禁带
氮化物外延材料及集成器件
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族氮化物异质外延膜
北京大学
III族氮化物
外延层薄膜
宽禁带半导体
扬杰科技与东南大学签署战略合作协议,共建
宽禁带
功率器件技术联合研发中心
扬杰科技将与东南大学共建
宽禁带
功率器件技术联合研发中心
厦门大学张洪良团队在
宽禁带
氧化镓半导体掺杂电子结构研究取得进展
【CASICON 2023】中国电科第十三研究所芦伟立:电力电子领域
宽禁带
半导体外延技术进展
复旦大学宁波研究院
宽禁带
半导体材料与器件研究所招贤纳士!
宽禁带
半导体国家工程研究中心常州分中心揭牌
宽禁带
半导体国家工程研究中心常州分中心揭牌,龙城芯谷项目启动
合盛硅业:目前2万片
宽禁带
半导体碳化硅衬底及外延片产业化生产线项目已通过验收,实现量产
西电芜湖研究院
宽禁带
半导体器件试制线成功通线
国家自然科学基金“十四五”发展规划发布 含
宽禁带
半导体等115项优先发展领域
第三代
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半导体功率模块技术及系统集成联合工程中心签约东莞
IFWS:超
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半导体材料与器件技术最新进展
美国工程院院士Fred C. LEE:
宽禁带
半导体会给电力电子行业带来怎样的变革?
华润微电子将积极谋划8英寸
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半导体布局
IFWS 2022前瞻:超
宽禁带
及其他新型半导体材料与器件技术分会日程公布
武汉大学袁超研究员:热反射表征技术在
宽禁带
半导体材料和器件领域的应用进展
新型超
宽禁带
半导体材料厂商铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
武汉大学课题组在
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半导体热表征领域发表综述文章
厦门大学
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半导体研究组在半导体能谷调控方面取得重要进展
宽禁带
氧化镓半导体在压电与射频器件中的应用
深圳先进连接牵头起草的T/CASAS 023—202X《
宽禁带
半导体封装用烧结银膏技术规范》征求意见
国内
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半导体研究领域第一套系列科技专著《
宽禁带
半导体前沿丛书》付梓发行
华微电子:积极布局以SiC和GaN为代表的
宽禁带
半导体器件技术
西安交通大学研究团队超
宽禁带
半导体材料研究领域取得重要进展
上海出台措施发展展壮大未来产业集群 推动碳化硅、氮化镓等
宽禁带
半导体化合物发展
IFWS 2022前瞻:超
宽禁带
及其他新型半导体材料与器件进展
氮化物
宽禁带
半导体企业中博芯宣布完成Pre-A轮融资
第
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