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奥趋光电
推出新一代超高透过率AlN单晶衬底
快讯|
奥趋光电
成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶
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发布高性能、耐超高温AlN单晶衬底基AlScN压电材料新产品
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王琦琨博士:PVT法生长高质量大尺寸AlN单晶的最新进展与挑战
【CASICON 2021】
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吴亮:AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
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CEO吴亮将出席2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会
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正式批量量产新一代超宽禁带半导体高端材料—— 高质量氮化铝单晶衬底系列产品
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正式推出高性能UVC-LED芯片衬底材料大批量颠覆性行业综合解决方案
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