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华南师范大学王幸福：GaN微纳结构及其光电子器件研究
GaN微纳米器件紫外探测器件
 评论 ⋅  2024-01-15 13:26
江南大学获批首个芯片关键技术千万级重点项目
 评论 ⋅  2024-01-11 15:30
香港中文大学（深圳）冀东：GaN同质外延中的雪崩特性
GaN同质外延雪崩击穿电离系数功率器件雪崩光电二极管
 评论 ⋅  2024-01-10 11:53
北京大学集成电路学院招聘专技2人，2.10截止
 评论 ⋅  2024-01-08 15:51
新进展！西安交通大学实现2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底量产
金刚石半导体MPCVD异质外延2英寸量产
 评论 ⋅  2024-01-05 11:40
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石SiCGaN衬底
 评论 ⋅  2024-01-04 09:28
厦门大学林楷强教授团队在二维半导体材料的激子研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-01-03 15:32
南京航空航天大学集成电路学院正式揭牌独立运行
 评论 ⋅  2024-01-02 11:23
中山大学物理学院氢化物气相外延沉积系统采购项目公开招标公告
 评论 ⋅  2023-12-29 16:53
北京大学申请半导体器件结构专利
 评论 ⋅  2023-12-27 16:53
北京大学教授于彤军：大尺寸AlN单晶生长研究
 评论 ⋅  2023-12-27 13:55
南京大学庄喆：基于外延层残余应变调控的InGaN基红光LED器件
 评论 ⋅  2023-12-27 13:50
厦门大学张峰：新型沟槽SiC基MOSFET器件研究
 评论 ⋅  2023-12-26 15:37
深圳大学刘新科：低成本垂直GaN功率器件
 评论 ⋅  2023-12-26 11:51
西安电子科技大学游淑珍：面向1200V功率应用的异质衬底横向和垂直GaN器件发展趋势
 评论 ⋅  2023-12-25 16:32
山东大学徐明升：SiC的高温氧化研究
 评论 ⋅  2023-12-25 11:18
大阪公立大学梁剑波：增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能，以适应实际器件应用
 评论 ⋅  2023-12-22 16:31
多伦多大学吴伟东：用于电动汽车的液冷GaN和SiC功率模块
 评论 ⋅  2023-12-22 11:30
武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 18:02
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
IFWS 2023│西安交通大学王来利：碳化硅功率半导体多芯片封装技术
 评论 ⋅  2023-12-19 11:35
北京大学申请GaN与碳纳米管CMOS电路专利
 评论 ⋅  2023-12-18 15:47
IFWS 2023│南砂晶圆/山东大学杨祥龙：大尺寸SiC单晶的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 11:52
太原理工大学和武汉大学在金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 10:20
IFWS 2023│华南师范大学尹以安：具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
 评论 ⋅  2023-12-18 10:11
北京大学无锡EDA研究院，揭牌！
 评论 ⋅  2023-12-14 19:16
北京大学无锡EDA研究院在无锡高新区揭牌
 评论 ⋅  2023-12-14 16:14
IFWS 2023│日本大阪大学陈传彤：SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展
 评论 ⋅  2023-12-12 14:17
IFWS 2023│大连理工大学王德君： 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径
 评论 ⋅  2023-12-11 17:38
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
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