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CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学魏杰：高速低损耗SOI LIGBT新结构与机理研究

CSPSD 2024成都前瞻|温州大学韦文生:3C/4H-SiC异构结场效应器件的构建和模拟

CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学徐跃杭:金刚石半导体器件可靠性新机制

CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大学王曦：光控型SiC功率器件的理论与实验研究

CSPSD 2024成都前瞻|上海大学任开琳：一种新型氮化镓基发光高电子迁移率晶体管

CSPSD 2024成都前瞻|西安电子科技大学何艳静：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学刘人宽：基于多层级多场域的压接型IGBT模块失效演化机制研究

CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学巫江：基于化合物半导体异质结的高性能器件设计与制备

CSPSD 2024成都前瞻|西安交通大学王来利：碳化硅功率半导体器件与变换器封装集成技术研究

CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学李俊宏：基于傅里叶乘法特性的高可靠性无半桥直流无刷电机驱动电路研究

CSPSD 2024成都前瞻|南方科技大学叶怀宇：碳化硅先进封装及全铜化技术

CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学张金平：IGBT的技术演进与未来发展趋势

厦门大学团队在第四代半导体氧化镓材料外延和深紫外探测应用领域研究取得重要进展

CSPSD 2024成都前瞻|大连理工大学王德君：SiC半导体表界面缺陷及MOS器件可靠性

CSPSD 2024成都前瞻|广东工业大学张紫辉：GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究

CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学章文通：硅基超结-功率半导体More silicon发展的主力器件

CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学严颖怡：在功率变换器中电流检测的挑战

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大学罗小蓉：《氮化镓功率器件结构、驱动和电源应用

CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大学孙佳慧：肖特基型p-GaN栅GaN HEMT的栅极抗静电鲁棒性

CSPSD 2024成都前瞻 |西交利物浦大学刘雯：用于功率转换系统的氮化镓单片集成

芯启源与浙江大学集成电路学院签署战略合作协议共启数智“芯”征程

CSPSD 2024成都前瞻 |东南大学魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

CSPSD 2024成都前瞻 |重庆大学蒋华平：碳化硅MOSFET动态阈值漂移

CSPSD 2024成都前瞻 |南方科技大学化梦媛：Ga-O原子间势函数及其应用研究

CSPSD 2024成都前瞻|广东工业大学周贤达：非晶氧化物半导体功率器件：理论极限和初步实现

CSPSD 2024成都前瞻|北京工业大学张亚民：面向氮化镓微波功率器件的异质界面温升表征方法

CSPSD 2024成都前瞻|北京大学魏进：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一样简单易用？

CSPSD 2024成都前瞻|四川大学副教授黄铭敏：碳化硅功率器件的辐射效应及抗辐射技术

CSPSD 2024成都前瞻|南京邮电大学南通研究院执行副院长姚佳飞将出席“2024功率半导体器件与集成电路会议”

北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率

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