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北京大学沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件——IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-25 14:32
晶盛机电：8英寸碳化硅外延设备和光学量测设备顺利实现销售，12英寸三轴减薄抛光机拓展至国内头部封装客户
 评论 ⋅  2024-11-06 14:31
【IFWS2024】 碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程公布
 评论 ⋅  2024-11-05 16:32
IFWS2024：氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-31 09:33
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
 评论 ⋅  2024-10-30 20:06
晶盛机电8英寸碳化硅外延设备和光学量测设备顺利实现销售
 评论 ⋅  2024-10-28 16:37
芯联集成“外延设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-09-23 15:34
长宇科技取得一项外延生长基盘用高均质性特种石墨材料的制备方法专利，能够保持产品制备的稳定性
 评论 ⋅  2024-09-20 10:56
广东中科半导体微纳制造技术研究院外延平台高纯液氨采购项目(二次)招标公告
 评论 ⋅  2024-09-18 11:55
富加镓业年产10000片6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工
 评论 ⋅  2024-09-14 15:51
国创中心联合研发中心逐步发力，“超高性能同质外延Micro-LED”取得新突破
 评论 ⋅  2024-09-09 17:37
中国电科48所8英寸碳化硅外延设备获升级
 评论 ⋅  2024-09-06 18:11
西安奕斯伟材料申请用于外延设备的处理方法专利
 评论 ⋅  2024-08-30 15:58
瀚天天成“一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-29 16:08
晶盛机电：12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货，ALD设备处于验证阶段
 评论 ⋅  2024-08-29 11:33
苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利，提高半导体外延层的性能
 评论 ⋅  2024-08-29 10:52
普兴电子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目环评第二次公示
 评论 ⋅  2024-08-23 16:03
天域半导体碳化硅外延项目即将试产
 评论 ⋅  2024-08-14 14:52
北京理工大学团队在杂化范德华外延生长研究方向取得重要突破
 评论 ⋅  2024-08-14 14:11
晶钻科技同质外延单晶金刚石新突破
 评论 ⋅  2024-08-06 11:26
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利，降低功率器件制造成本
 评论 ⋅  2024-08-05 17:20
8英寸碳化硅垂直腔外延设备为什么这么热？
 评论 ⋅  2024-08-02 11:20
宁波晶钻同质外延单晶金刚石再次突破3.35英寸
 评论 ⋅  2024-08-02 11:01
香港首个第三代半导体氮化镓外延工艺研发中心将成立
 评论 ⋅  2024-07-31 17:11
西安电子科技大学GaN-on-Si/SOI外延片采购公开招标公告二次
 评论 ⋅  2024-07-17 10:19
西安电子科技大学GaN-on-Si/SOI 外延片采购公开招标公告
 评论 ⋅  2024-06-25 10:50
科大立安中标安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目
 评论 ⋅  2024-06-19 18:05
CASICON晶体大会前瞻|才道精密仪器马观岚：SiC/GaN衬底和外延片检测设备国产化
 评论 ⋅  2024-06-17 11:32
CASICON晶体大会前瞻|中国电子科技集团第五十五研究所李赟：碳化硅外延如何协同器件发展
 评论 ⋅  2024-06-13 14:39
CASICON晶体大会前瞻|中国电科第十三研究所芦伟立：面向特种器件应用的SiC多层超厚外延进展及机遇
 评论 ⋅  2024-06-11 15:47
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