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镓和半导体李山： 氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究
 评论 ⋅  2024-12-12 15:51
中微公司陈丹莹：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-05 11:07
【IFWS2024】 碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程公布
 评论 ⋅  2024-11-05 16:32
IFWS2024：氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-31 09:33
长宇科技取得一项外延生长基盘用高均质性特种石墨材料的制备方法专利，能够保持产品制备的稳定性
 评论 ⋅  2024-09-20 10:56
晶盛机电：12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货，ALD设备处于验证阶段
 评论 ⋅  2024-08-29 11:33
北京理工大学团队在杂化范德华外延生长研究方向取得重要突破
 评论 ⋅  2024-08-14 14:11
晶盛机电：在功率半导体领域，先后成功研发8英寸及12英寸常压硅外延生长设备并实现销售
 评论 ⋅  2024-05-24 16:40
科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法
 评论 ⋅  2024-05-06 11:06
IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长
 评论 ⋅  2023-12-20 11:52
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果：6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
 评论 ⋅  2023-12-07 17:38
IFWS 2023│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会召开
 评论 ⋅  2023-11-30 08:35
IFWS 2023前瞻│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-16 16:31
晶盛机电：公司成功研发出具有国际先进水平的 8 英寸单片式碳化硅外延生长设备
 评论 ⋅  2023-07-14 08:53
简述GaN 外延生长方法及生长模式
 评论 ⋅  2023-06-08 16:20
国内首家！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长
 评论 ⋅  2023-03-17 12:43
简述Ir衬底上金刚石半导体异质外延生长技术与机理研究进展
 评论 ⋅  2023-02-02 19:09
中国科学院物理研究所张广宇课题组实现4英寸晶圆尺度均匀多层二硫化钼连续薄膜可控逐层外延生长
 评论 ⋅  2022-06-23 15:13
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破
 评论 ⋅  2022-05-10 10:28
南京大学等突破双层二维半导体外延生长核心技术
 评论 ⋅  2022-05-07 09:22
【CASICON 2021】北京大学杨学林：Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
 评论 ⋅  2021-09-16 11:46
北京大学杨学林：硅衬底上氮化物大失配异质外延生长
 评论 ⋅  2020-12-09 16:33
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