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成果推荐| 基于凹槽二次
外延技术
的p-GaN栅极增强型电力电子器件
蔚来增持晶湛半导体,或加码氮化镓
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应用上车
【CASICON 2023】中国电科第十三研究所芦伟立:电力电子领域宽禁带半导体
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进展
IFWS:碳化硅衬底材料生长与加工及
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前沿研究
现场火爆!IFWS:氮化物衬底材料生长与
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论坛召开
开年重要碳化硅半导体论坛!直击碳化硅衬底材料生长与加工及
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前沿进展
IFWS 前瞻:氮化物衬底材料生长与
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分会日程出炉
IFWS 2022看点前瞻:碳化硅衬底材料生长与加工及
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最新关注 氮化物半导体衬底与
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进展
中科院半导体研究所张连:亚毫米波段GaN基HEMT与选区
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研究
爱思强中国区副总经理方子文:促进宽禁带半导体产业化的关键
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宽禁带半导体
产业化
关键外延技术
IFWS& SSLCHINA 2021前瞻:氮化物半导体衬底与
外延技术
论坛最新日程出炉
【CASICON 2021】苏州晶湛半导体向鹏:用于新型GaN功率器件的
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进展
【CASICON 2021】唐晶量子龚平:6 inch GaAs基VCSEL和射频
外延技术
CASICON 2021前瞻:6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射频
外延技术
西安
唐晶量子科技
有
龚平
6
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基
VCSEL
射频外延技术
碳化硅产业链条核心:
外延技术
碳化硅产业链条核心:
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