新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
长电科技
芯
半导体
中国
天岳先进
华为
第三代半导体
氮化镓
首页
新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
首页
>
新闻资讯
>
搜索
综合排序
最多点击
最新发布
全部类别
技术
材料
产业
财经
应用
无锡博通申请半桥GaN
增强
型开关器件及其制备方法专利,保证器件的高速开关
Facebook开发的首款
增强
现实AR眼镜采用碳化硅材料,开拓元宇宙领域的新蓝海市场
我国攻克1200V以上
增强
型氮化镓电力电子芯片量产技术
西安电子科技大学攻克 1200V 以上
增强
型氮化镓电力电子芯片量产技术
安森美完成收购SWIR Vision Systems,
增强
智能感知产品组合
科技成果推介|
增强
型GaN电力电子器件
斯达半导取得功率模块专利,
增强
功率半导体模块的使用寿命
吕坚院士团队 l 3D打印莫来石
增强
的碳化硅气凝胶复合材料
CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技刘勇:PGaN
增强
型GaN功率器件设计与仿真技术
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极
增强
型电力电子器件
大阪公立大学梁剑波:
增强
GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能,以适应实际器件应用
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强:
增强
型功率氮化镓器件结构设计进展
西安交通大学王玮:低功函数栅极
增强
型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
CASICON西安站前瞻|西安交通大学王玮:低功函数栅极
增强
型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
新微半导体40V
增强
型氮化镓功率器件工艺平台成功量产
十年来我国科技事业发生历史性变化 四个显著
增强
技术分享:基于氮化镓单晶衬底的
增强
型氮化镓HEMTs
复旦大学微电子学院成功研制新原理机器视觉
增强
芯片
紫外
增强
图像传感器的研究进展
清华大学交叉信息研究院段路明课题组实现量子存储器
增强
的非局域图态制备
重大突破!碳化硅量子比特刷新纪录:量子态保持超5秒,信号
增强
万倍
西电张进成教授团队最新成果:基于p-SnO帽层栅的高阈值
增强
型AlGaN/GaN HEMTs
工信部:我国制造业已连续11年位居世界第一 高技术制造业和装备制造业引领带动作用显著
增强
【CASICON 2021】南京大学徐尉宗:面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT
增强
型器件技术
CASICON 2021前瞻:面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT
增强
型器件技术
集成电路为高可靠性电源提供
增强
的保护和改进的安全特性
苹果自研M2处理器曝光:5nm
增强
版工艺、最快7月出货
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇:硅基GaN
增强
型HEMT电力电子器件
厦门大学蔡端俊:氯离子局域场驱动的快速除氢p型
增强
技术及深紫外LED效率提升
不断
增强
的Hedvig容器支持,助力企业开启容器化之旅
容器
企业
数据
环境
迁移
解决方案
第
1
页/共
2
页
首页
下一页
上一页
尾页
联系客服
投诉反馈
顶部