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无锡博通申请半桥GaN
增强型
开关器件及其制备方法专利,保证器件的高速开关
我国攻克1200V以上
增强型
氮化镓电力电子芯片量产技术
西安电子科技大学攻克 1200V 以上
增强型
氮化镓电力电子芯片量产技术
科技成果推介|
增强型
GaN电力电子器件
CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技刘勇:PGaN
增强型
GaN功率器件设计与仿真技术
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极
增强型
电力电子器件
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强:
增强型
功率氮化镓器件结构设计进展
西安交通大学王玮:低功函数栅极
增强型
氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
CASICON西安站前瞻|西安交通大学王玮:低功函数栅极
增强型
氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
新微半导体40V
增强型
氮化镓功率器件工艺平台成功量产
技术分享:基于氮化镓单晶衬底的
增强型
氮化镓HEMTs
西电张进成教授团队最新成果:基于p-SnO帽层栅的高阈值
增强型
AlGaN/GaN HEMTs
【CASICON 2021】南京大学徐尉宗:面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT
增强型
器件技术
CASICON 2021前瞻:面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT
增强型
器件技术
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇:硅基GaN
增强型
HEMT电力电子器件
新思科技宣布其节能ARC EM和ARC HS处理器IP,可支持TensorFlow Lite for Microcontrollers软件
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