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应用
碳化硅功率
器
件及其封装技术发展探讨(一)|IFWS&SSLCHINA2024
脉冲模式下输出功率超15 W的氮化镓蓝光激光
器
哈尔滨工业大学在碳化硅集成光量子纠缠
器
件领域取得新突破
中微公司陈丹莹:PRISMO PDS8–用于SiC功率
器
件外延生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
化合物半导体激光
器
技术及应用发展 | IFWS&SSLCHINA2024
平湖实验室何光泽:面向SiC/GaN功率
器
件失效分析的测试技术与典型应用| IFWS2024
众专家学者探讨氮化镓射频电子
器
件与应用的进展与趋势 |IFWS&SSLCHINA2024
康美特庞凯敏:高可靠性碳化硅IGBT
器
件封装材料 | IFWS&SSLCHINA2024
博睿光电梁超:功率
器
件封装用高性能氮化铝陶瓷基板及金属化技术 | IFWS&SSLCHINA2024
姚威振:新型MOCVD反应
器
设计,促进GaN材料创新发展 | IFWS&SSLCHINA2024
北京大学沈波教授:基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与
器
件——IFWS&SSLCHINA2024
拟投资14亿!佳丽美半导体电子分立
器
件制造总部项目签约落户丹灶
第十七届诚邀提名 | “2024年度华强电子网优质供应商&电子元
器
件行业优秀国产品牌评选”重磅开启!
国宇电子功率
器
件项目签约扬州
国家5G中高频
器
件创新中心邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024
许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光
器
件的晶圆级制备
湖南三安半导体申请功率
器
件专利,可提高钝化层在外围区域的附着力
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC
器
件专利,提升终端效率并提高工艺容错率
北京量子院徐洪起团队在半导体耦合多量子点
器
件研究中取得进展
广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热
器
及SiC单晶生长装置专利,提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
牛津仪
器
邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024
氮化镓功率电子
器
件技术分会日程出炉|IFWS 2024前瞻
联合微电子中心取得一种半导体
器
件专利,提升半导体
器
件性能
芯导电子“一种静电防护结构及制备方法、半导体
器
件及制备方法”专利公布
GaN+SiC!纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务
器
电源
闻泰科技半导体业务与KOSTAL就先进车规级宽禁带
器
件达成战略合作
【IFWS2024】碳化硅功率
器
件及其封装技术分会日程出炉
睿励科学仪
器
完成近5亿元战略融资
【IFWS2024】化合物半导体激光
器
技术及应用分会日程公布
联讯仪
器
邀您同聚11月IFWS & SSLCHINA2024
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