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扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT
器
件及其制备方法专利
比亚迪半导体申请逆导型IGBT功率
器
件专利,有效抑制负阻效应,提高
器
件性能
中晶科技:高端分立
器
件和超大规模集成电路用单晶硅片项目进展顺利,当前处于爬坡上量阶段
晶合集成取得半导体
器
件及其制备方法专利,改善电阻Rc并提高良率
芯导科技申请TrenchMOSFET
器
件的自对准的制备方法专利,进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
上海合晶:将积极探索及开发CIS等模拟
器
件使用12英寸外延片产品
士兰微获得发明专利授权:“功率半导体
器
件及其制造方法”
重庆研究院发展出仿生“视听”光电探测
器
武汉新芯“半导体
器
件及其制备方法”专利公布
晶隆半导体材料及
器
件产业化项目开工
中芯国际“电容
器
结构及其形成方法”专利公布
复旦大学微电子学院
器
件工艺团队研发基于全无机钙钛矿的多功能集成光子
器
件
西电郝跃院士团队在超陡垂直晶体管
器
件研究方面取得重要进展
常州国家高新区发布十佳重点项目,宏微新型功率半导体
器
件项目上榜
北大团队新型
器
件技术加速GaN进入工业与汽车应用
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET
器
件及其制备方法专利,能够降低
器
件的沟道电阻
新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-GaN垂直异质集成的高性能宽光谱探测
器
研究新成果
宽禁带与二维材料,
能带工程,
光电探测器,
深圳大学,
垂直异质集成
碳化硅功率
器
件公司至信微电子获深重投及深高新投投资
长飞光学与半导体石英元
器
件研发及产业化项目封顶
联合攻关成果!1700V GaN HEMTs
器
件研制成功
湖畔光芯硅基OLED微型显示
器
一期项目封顶
91.9万人次参与投票,“2023年度华强电子网优质供应商&电子元
器
件行业优秀国产品牌评选”专家评审进行中
量子半导体
器
件实现拓扑趋肤效应
江苏诚盛科技麒思大功率
器
件项目发布今年量产
新声半导体射频滤波
器
芯片项目在苏州高新区开工奠基
器
件新突破!香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验晶体管!
投资9亿元!诚盛科技—麒思大功率
器
件项目8月量产
华为公司申请功率
器
件专利,提高半导体
器
件的可靠性
成果|碳化硅晶片+蜂巢传动逆变
器
+碳化硅电力电子变压
器
+AMOLED量产线
北京大学申请高动态稳定性GaN
器
件专利,提高GaN HEMT的动态稳定性
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