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汉轩车规级功率器件制造项目在徐州开工
 评论 ⋅  2023-12-19 15:32
苏州纳米所梁伟团队在可连续调谐的窄线宽外腔半导体激光器领域取得进展
 评论 ⋅  2023-12-19 13:52
赛微电子控股子公司MEMS超高频器件启动量产
 评论 ⋅  2023-12-18 15:47
致瞻科技第20000台乘用车碳化硅电动压缩机控制器成功下线
致瞻科技碳化硅SiC电动压缩机控制器黑灯工厂碳化硅器件
 评论 ⋅  2023-12-18 10:00
赛微电子与子公司拟1.8亿元设合资公司 实施MEMS高频通信器件制造项目
 评论 ⋅  2023-12-15 16:46
共达电声拟10.4亿元投建电声元器件及电声组件生产基地项目
 评论 ⋅  2023-12-15 15:34
赛微电子：拟与子公司以1.8亿元设合资公司，实施MEMS高频通信器件制造工艺开发项目
赛微电子，MEMS，半导体产业，晶圆
 评论 ⋅  2023-12-15 11:58
全球首颗！我国芯片领域取得重大突破！
芯片，存算一体，忆阻器，人工智能，自动驾驶，光刻胶
 评论 ⋅  2023-12-15 11:08
IFWS 2023│小鹏汽车杨恒：碳化硅器件在新能源车电驱动系统的应用
 评论 ⋅  2023-12-13 10:58
中国科学院在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-12-12 15:36
IFWS 2023│大连理工大学王德君： 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径
 评论 ⋅  2023-12-11 17:38
IFWS 2023│ 加拿大Crosslight首席研发专家Ahmed NASHED：基于半导体激光器件的高级光学建模与仿真
 评论 ⋅  2023-12-11 15:24
IFWS 2023│博睿光电梁超：面向高功率器件的超高导热AIN陶瓷基板的研制及开发
 评论 ⋅  2023-12-11 11:02
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
IFWS 2023│日本国立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器
 评论 ⋅  2023-12-08 16:04
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强：增强型功率氮化镓器件结构设计进展
 评论 ⋅  2023-12-08 15:49
IFWS 2023│南方科技大学于洪宇：Si基GaN器件及系统研究与产业前景
 评论 ⋅  2023-12-08 15:32
CASAS正式成立SiC/GaN功率器件与模块工作组
 评论 ⋅  2023-12-07 08:43
IFWS 2023│ 中国电子科技集团第四十六研究所孙杰：高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
 评论 ⋅  2023-12-05 16:53
IFWS 2023│厦门大学徐翔宇：氧化镓缺陷研究，合金工程电子结构调制以及日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2023-12-05 16:32
九峰山实验室着力破解太赫兹器件频率瓶颈
 评论 ⋅  2023-12-05 15:05
中科大龙世兵课题组 | 基于交变栅压调制的Ga2O3光电探测器
 评论 ⋅  2023-12-04 21:22
IFWS 2023│化合物半导体激光器与异质集成技术分会召开
 评论 ⋅  2023-11-30 11:35
IFWS 2023│碳化功率器件及封装技术分会新提升
 评论 ⋅  2023-11-30 11:22
IFWS 2023│追踪氮化镓功率电子器件技术新进展
 评论 ⋅  2023-11-30 09:05
《第三代半导体功率器件产业及标准化蓝皮书》发布
 评论 ⋅  2023-11-29 22:45
IFWS 2023│南京大学蔡青：AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器的优化设计及击穿机理研究
 评论 ⋅  2023-11-29 19:53
IFWS 2023│三安光电王俞授：大功率蓝绿激光器开发与应用
 评论 ⋅  2023-11-29 19:49
IFWS 2023│三安半导体技术总监叶念慈：产业链垂直整合如何为SiC功率器件工厂赋能
 评论 ⋅  2023-11-29 19:45
IFWS 2023│中国电子科技集团第五十五研究所黄润华：750V SiC MOSFET元胞结构对器件特性的影响研究
 评论 ⋅  2023-11-29 19:43
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