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南京南瑞半导体申请沟槽型SiC
器件
及其制备方法专利,可防止
器件
过早击穿烧毁
安徽长飞先进半导体申请半导体
器件
相关专利,使半导体
器件
获得更好的散热结构以及更低的电阻率
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利,提高
器件
性能和可靠性
士兰微“MEMS
器件
及其制造方法”专利获授权
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率
器件
验证
IFWS2024:氮化镓射频电子
器件
与应用分会日程出炉
合肥晶合集成电路申请一种半导体
器件
的制作方法专利,能够提高半导体
器件
的性能
无锡博通申请半桥GaN增强型开关
器件
及其制备方法专利,保证
器件
的高速开关
氮化镓射频电子
器件
与应用分会日程出炉 | IFWS2024 前瞻
一文解开远山氮化镓功率
器件
实现耐高压的秘密
前沿科技 | 无需半导体材料的电子
器件
问世
富特科技:已实现SiC半导体
器件
在产品中的量产应用,且应用技术已相对成熟
华润微“一种LIGBT
器件
及其制备方法”专利公布
中国科大在钙钛矿软X射线探测
器件
领域取得重要进展
士兰集宏8英寸碳化硅功率
器件
芯片制造生产线项目预计2025年试生产
中国科大在钙钛矿软X射线探测
器件
领域取得重要进展
远山半导体发布新一代高压氮化镓功率
器件
中车中低压功率
器件
产业化(宜兴)建设项目竣工投产
米家智能小家电拆解汇总:小米的元
器件
供应商都有哪些?
至芯半导体取得重大突破,推出高光效UV
器件
Nature | 康奈尔大学:光电功能
器件
最新突破
格兰菲申请功率半导体
器件
结构及其制备方法专利,有利于终端区面积缩小
中国科大微电子学院在GaN功率电子
器件
浪涌特性研究方向取得新进展
中科院微电子所在GaN
器件
研究方面取得重要进展
汉道精密制造年产1.8亿件半导体元
器件
项目开工奠基
忱芯科技申请碳化硅功率半导体
器件
的驱动板和测试方法专利
【南昌光电博览会】聚焦半导体光电装备、材料、
器件
及工艺发展
龙腾股份取得 SGT-MOSFET 半导体
器件
制备方法相关专利,避免出现第一氧化层过薄
元
器件
采购商不想被坑?认准这一招!
中国科大在仿生光电神经感知
器件
领域取得新突破
第
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页/共
36
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