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清溢光电:与国内重点IC Foundry、功率半导体
器件
等领域企业均建立深度合作关系
希尔电子碳化硅功率
器件
已逐步量产,新项目厂房下半年将投用
功率半导体
器件
企业希尔电子新项目大楼下半年将投用
“2023年度华强电子网优质供应商&电子元
器件
行业优秀国产品牌评选”获奖榜单重磅公布!
山东大学郝晓涛团队在有机半导体光伏
器件
物理研究中取得新进展
东微半导申请氮化镓
器件
及其制造方法专利,提供一种氮化镓
器件
扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT
器件
及其制备方法专利
比亚迪半导体申请逆导型IGBT功率
器件
专利,有效抑制负阻效应,提高
器件
性能
中晶科技:高端分立
器件
和超大规模集成电路用单晶硅片项目进展顺利,当前处于爬坡上量阶段
晶合集成取得半导体
器件
及其制备方法专利,改善电阻Rc并提高良率
芯导科技申请TrenchMOSFET
器件
的自对准的制备方法专利,进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸
上海合晶:将积极探索及开发CIS等模拟
器件
使用12英寸外延片产品
士兰微获得发明专利授权:“功率半导体
器件
及其制造方法”
武汉新芯“半导体
器件
及其制备方法”专利公布
晶隆半导体材料及
器件
产业化项目开工
复旦大学微电子学院
器件
工艺团队研发基于全无机钙钛矿的多功能集成光子
器件
西电郝跃院士团队在超陡垂直晶体管
器件
研究方面取得重要进展
常州国家高新区发布十佳重点项目,宏微新型功率半导体
器件
项目上榜
北大团队新型
器件
技术加速GaN进入工业与汽车应用
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET
器件
及其制备方法专利,能够降低
器件
的沟道电阻
碳化硅功率
器件
公司至信微电子获深重投及深高新投投资
长飞光学与半导体石英元
器件
研发及产业化项目封顶
联合攻关成果!1700V GaN HEMTs
器件
研制成功
91.9万人次参与投票,“2023年度华强电子网优质供应商&电子元
器件
行业优秀国产品牌评选”专家评审进行中
量子半导体
器件
实现拓扑趋肤效应
江苏诚盛科技麒思大功率
器件
项目发布今年量产
器件
新突破!香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验晶体管!
投资9亿元!诚盛科技—麒思大功率
器件
项目8月量产
华为公司申请功率
器件
专利,提高半导体
器件
的可靠性
北京大学申请高动态稳定性GaN
器件
专利,提高GaN HEMT的动态稳定性
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