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许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光器件的晶圆级制备
 评论 ⋅  2024-11-12 18:43
豪纬集团申请一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法专利，有效提高微纳结构中有源层的发光效率
 评论 ⋅  2024-08-13 16:14
清华大学研发光子芯片侧重自动驾驶等边缘智能应用
 评论 ⋅  2024-06-18 17:24
CASICON晶体大会前瞻 |江风益院士：V形PN结铟镓氮发光及应用
 评论 ⋅  2024-05-30 11:06
莱特光电申请含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置专利
 评论 ⋅  2024-05-10 10:00
CSPSD 2024成都前瞻|上海大学任开琳：一种新型氮化镓基发光高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2024-04-23 09:53
国家重点研发计划“单片集成GaN基可调控Micro-LED发光器件研究”项目启动
 评论 ⋅  2024-04-18 17:29
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
英特尔与日本NTT合作开发光电融合半导体
 评论 ⋅  2024-01-30 11:08
4000多次试错，终于探索出全球第三条蓝光LED技术路线
江西南昌硅衬底发光二极管蓝光
 评论 ⋅  2024-01-15 08:59
中国科学院半导体所伍绍腾：基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件研究
 评论 ⋅  2023-12-29 15:28
研究机构：2028年全球OLED发光材料市场将超24亿美元，中国占44%
 评论 ⋅  2023-12-05 14:08
西安交通大学李虞锋：SNOM对GaN基发光芯片的高空间分辨光学表征
 评论 ⋅  2023-08-02 09:51
CASICON 2023前瞻北京大学副教授许福军：AlGaN基深紫外发光材料和器件研究
 评论 ⋅  2023-07-13 11:11
美国Bolb公司董事长张剑平博士：透明紫外C波段发光二极管的光提取效率和性能
 评论 ⋅  2023-02-27 14:48
美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官张剑平：透明紫外C波段发光二极管的光提取效率和性能
 评论 ⋅  2023-02-27 14:34
长春应化所在晶态有机发光二极管研究中取得重要进展
 评论 ⋅  2023-01-05 09:28
中科潞安牵头大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术获得立项
 评论 ⋅  2022-12-21 13:47
武大研究团队实现24.1%高效率钙钛矿近红外发光LED
 评论 ⋅  2022-12-13 14:04
中国科大在纯红光钙钛矿电致发光二极管取得新进展
 评论 ⋅  2022-11-22 14:40
《硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范》等四项硅衬底LED行业标准正式发布
 评论 ⋅  2022-10-25 16:54
中国科学院半导体所“深紫外激光光致发光光谱仪”入选中国科学院自主研制科学仪器名录
 评论 ⋅  2022-10-24 18:37
我国科学家成功制备白光钙钛矿发光二极管
 评论 ⋅  2022-08-26 11:54
上海微系统所等实现硅基异质集成的片上量子点发光
 评论 ⋅  2022-08-03 12:02
北京大学许福军：高质量AlN实现路径探索及深紫外发光器件应用
 评论 ⋅  2021-12-11 16:08
郑州大学Muhammad Nawaz Sharif：铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响
 评论 ⋅  2021-12-10 15:35
南方科技大学孙小卫教授团队通过喷墨打印制备出业界寿命最长的量子点发光二极管
南方科技大学孙小卫教授喷墨打印制备业界寿命最长量子点发光二极管
 评论 ⋅  2021-09-29 08:55
Nat. Commun.刊发武汉光电中心唐江教授团队基于热蒸发的大面积钙钛矿绿光发光二极管
武汉光电中心唐江教授热蒸发大面积钙钛矿绿光发光二极管
 评论 ⋅  2021-08-12 11:28
三安光电发明设环绕式挡板结构 有效提高LED芯片发光亮度
 评论 ⋅  2021-07-14 11:39
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