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杭州镓仁半导体申请氧化镓
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抛光片划片方法专利,减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
新突破︱镓仁半导体晶圆级(010)氧化镓
单晶衬底
直径突破3英寸
CASICON晶体大会前瞻|中晶芯源半导体杨祥龙:碳化硅
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材料的研究进展
CASICON晶体大会前瞻 |北京大学教授沈波:AlN
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和外延薄膜的制备
云和县大尺寸碳化硅
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产业化项目意向合作协议签约仪式举行
深圳第三代半导体材料产业园揭牌 重点布局6英寸碳化硅
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和外延生产线
年产70万片6-8英寸碳化
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项目通过立项审批
碳化硅
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的常用检测技术
合肥世纪金芯与湖南S公司达成战略合作,围绕SiC
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展开合作
IFWS 2023│南京大学修向前:基于HVPE的氮化镓
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设备与工艺技术
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟:助熔剂法生长GaN
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的研究进展
镓和半导体展示多规格氧化镓
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并首次公开发布4英寸(100)面
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参数
总投资34.57亿元!新增年产70万片 6-8 英寸碳化硅
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项目
世纪金光6-8英寸SiC
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项目签约包头 投资近35亿元
总投资1.2亿元,氮化镓
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项目签约落地
中镓半导体刘强:面向氮化镓同质外延功率/光电器件应用的氮化镓
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制备技术研发进展
世界最好水平!奥趋光电推出新一代超高透过率AlN
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复旦大学
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生长系统采购公开招标公告
河北涞源经济开发区标准化科创园项目、年产10万片碳化硅
单晶衬底
标准厂房项目一期全过程审计服务公开招标公告
碳化硅
单晶衬底
加工技术现状及发展趋势综述
合肥世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅
单晶衬底
项目投产!
技术分享:基于氮化镓
单晶衬底
的增强型氮化镓HEMTs
苏州纳维总部大楼荣耀封顶!预计年产氮化镓
单晶衬底
及外延片5万片以上
奥趋光电发布高性能、耐超高温AlN
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基AlScN压电材料新产品
宽禁带半导体GaN
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项目、Wi-Fi Halow芯片项目等重大项目落地苏州高新区
GaN
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减薄新技术
丰田合成成功量产6英寸氮化镓
单晶衬底
深圳大学刘新科:基于氮化镓
单晶衬底
的半导体器件
【CASICON 2021】南砂晶圆彭燕:碳化硅与金刚石
单晶衬底
技术与产业化研究
CASICON 2021前瞻:碳化硅与金刚石
单晶衬底
技术与产业化研究
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